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BCP69-25 参数 Datasheet PDF下载

BCP69-25图片预览
型号: BCP69-25
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内容描述: PNP硅平面中功率晶体管 [PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管光电二极管放大器局域网
文件页数/大小: 1 页 / 47 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
   
SOT223 PNP硅平面
中功率晶体管
第3期 - 1996年2月
7
特点
*对于自动对焦驱动器和输出级
*高集电极电流和低V
CE ( SAT )
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
BCP68
BCP69
BCP69 ? 25
C
BCP69
E
C
B
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度
范围
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极导通
电压
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
分钟。
-25
-20
-5
-100
-10
-10
-0.5
- 0.6
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
-25
-20
-5
-2
-1
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
条件。
I
C
=-10
µ
A
I
C
= - 30毫安
I
E
=-10
µ
A
V
CB
=-25V
V
CB
= -25V ,T
AMB
=150°C
V
EB
=-5V
I
C
= -1A ,我
B
=-100mA*
I
C
= -5A ,V
CE
=-10V*
I
C
= -1A ,V
CE
=-1V*
I
C
= -5mA ,V
CE
=-10V*
I
C
= -500mA ,V
CE
=-1V*
I
C
= -500mA ,V
CE
=-1V*
兆赫
I
C
= -100mA ,V
CE
=-5V,
f=100MHz
µ
A
µ
A
发射极截止电流I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
V
V
V
-1.0
400
400
50
静态正向电流ħ
FE
63
BCP69
传输比
BCP69-25 160
跃迁频率
f
T
250
100
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
µ
秒。占空比
2%
对于典型特征图看FMMT549数据表。
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