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    BC868-25-CDC 参数 Datasheet PDF下载

    BC868-25-CDC图片预览
    型号： BC868-25-CDC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： SOT89 NPN硅平面中功率晶体管 [SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 22 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
       
    SOT89 NPN硅平面
    中功率晶体管
    第4期 - 1995年10月
    7
    特点
    *适用于一般AF应用和
    B类音频输出级UPTO 3W
    *高ħ
    FE
    与低饱和电压
    互补式 -
    PARTMARKING详细信息 -
    BC869
    BC868
    - CAC
    BC868-16 - CCC
    BC868-25 - 疾病预防控制中心
    BC868
    C
    E
    C
    B
    SOT89
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    价值
    25
    20
    5
    2
    1
    1
    -65到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    集电极 - 基
    击穿电压
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    发射极 - 基
    击穿电压
    集电极截止
    当前
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射极导通
    电压
    静态正向电流
    传输比
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE
    BC868-16
    BC868-25
    跃迁频率
    输出电容
    f
    T
    C
    敖包
    50
    85
    60
    100
    160
    60
    45
    分钟。
    25
    20
    5
    10
    1
    10
    0.5
    1.0
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    V
    V
    µA
    mA
    µA
    V
    V
    条件。
    I
    C
    =100µA
    I
    C
    =10mA*
    I
    E
    =10µA
    V
    CB
    = 25V
    V
    CB
    = 25V ，T
    AMB
    =150
    o
    C
    V
    EB
    =5V
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =100mA*
    I
    C
    = 1A ，V
    CE
    =1V*
    I
    C
    = 5毫安，V
    CE
    =10V*
    I
    C
    = 500毫安，V
    CE
    =1V*
    I
    C
    = 1A ，V
    CE
    =1V*
    I
    C
    = 500毫安，V
    CE
    =1V*
    I
    C
    = 500毫安，V
    CE
    =1V*
    兆赫
    pF
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =5V
    F = 35MHz时
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    375
    250
    375
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
    ≤2%
    对于典型特征图看FMMT449数据表。
    3 - 11

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