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    BC817 参数 Datasheet PDF下载

    BC817图片预览
    型号： BC817
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅平面中功率晶体管 [NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 40 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
       
    SOT23 NPN硅平面
    中功率晶体管
    ISSUE 5 - 2001年3月
    PARTMARKING详情
    BC81716 -
    6AZ
    BC81725 -
    6BZ
    BC81740 -
    6CZ
    ✪
    BC817
    C
    B
    E
    互补式
    ?? BC807
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    基极电流
    峰值电流基地
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    I
    B
    I
    BM
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    50
    45
    5
    1
    500
    100
    200
    330
    SOT23
    价值
    单位
    V
    V
    V
    A
    mA
    mA
    mA
    mW
    °C
    -55到+150
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    集电极截止
    当前
    符号
    I
    CBO
    分钟。
    典型值。
    MAX 。单位条件。
    0.1
    5
    10
    700
    1.2
    µ
    A
    µ
    A
    µ
    A
    mV
    V
    V
    CB
    = 20V ，我
    E
    =0
    V
    CB
    = 20V ，我
    E
    =0, T
    AMB
    =150°C
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =50mA*
    I
    C
    = 500毫安，V
    CE
    =1V*
    发射极截止电流I
    EBO
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射
    饱和电压
    静态正向电流
    传输比
    BC81716
    BC81725
    BC81740
    所有乐队
    跃迁频率
    输出电容
    f
    T
    C
    敖包
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE
    100
    160
    250
    40
    200
    5.0
    250
    400
    600
    I
    C
    = 100mA时V
    CE
    =1V*
    I
    C
    = 100mA时V
    CE
    =1V*
    I
    C
    = 100mA时V
    CE
    =1V*
    I
    C
    = 500毫安，V
    CE
    =1V*
    兆赫
    pF
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =5V
    f=35MHz
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    *脉冲条件下进行测定。
    TBA

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