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    620 参数 Datasheet PDF下载

    620图片预览
    型号： 620
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： SuperSOT ™ 80V NPN硅低饱和晶体管 [SuperSOT™ 80V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 239 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号620的Datasheet PDF文件第1页浏览型号620的Datasheet PDF文件第2页浏览型号620的Datasheet PDF文件第3页浏览型号620的Datasheet PDF文件第5页浏览型号620的Datasheet PDF文件第6页  
    FMMT620
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明）
    参数
    集电极 - 基极击穿
    电压
    集电极 - 发射极击穿
    电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    集电极发射极截止电流
    集电极 - 发射极饱和
    电压
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    I
    CES
    V
    CE （ SAT ）
    15
    45
    145
    160
    0.86
    0.82
    200
    300
    110
    60
    20
    100
    450
    450
    170
    90
    30
    10
    160
    11.5
    86
    1128
    18
    分钟。
    100
    80
    7
    典型值。
    180
    110
    8
    100
    100
    100
    20
    60
    185
    200
    1.0
    0.95
    900
    马克斯。
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    nA
    mV
    mV
    mV
    mV
    V
    V
    条件。
    I
    C
    =100 A
    I
    C
    =10mA*
    I
    E
    =100 A
    V
    CB
    =80V
    V
    EB
    =5.5V
    V
    CES
    =80V
    I
    C
    = 0.1A ，我
    B
    =10mA*
    I
    C
    = 0.5A ，我
    B
    =50mA*
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =20mA*
    I
    C
    = 1.5A ，我
    B
    =50mA*
    I
    C
    = 1.5A ，我
    B
    =50mA*
    I
    C
    = 1.5A ，V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =2V*
    I
    C
    =的200mA， V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 1A ，V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 1.5A ，V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 3A ，V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 5A ，V
    CE
    =2V*
    兆赫
    pF
    ns
    ns
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    =10V
    f=100MHz
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    V
    CC
    = 10V ，我
    C
    =500mA
    I
    B1
    =I
    B2
    =25mA
    基射极饱和电压
    基射极导通电压
    静态正向电流传输
    比
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE
    跃迁频率
    输出电容
    开启时间
    打开-O FF时间
    f
    T
    C
    敖包
    t
    （上）
    t
    （关闭）
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
    ≤
    300μS 。占空比
    ≤
    2%
    第2期 - 2006年6月
    半导体
    4

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