SOT23封装N沟道增强
模式垂直DMOS FET
第3期？ 1996年1月
特点
* 60伏V
首席执行官
2N7002
S
D
PARTMARKING详细信息 - 702
G
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
栅源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
60
115
800
±
40
330
-55到+150
SOT23
单位
V
mA
mA
V
mW
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
漏源击穿
电压
门极 - 源
电压
门体漏
零栅压漏
当前
通态漏电流（ 1 ）
静态漏源导通状态
电压（1）
静态漏源导通状态
电阻（1）
正向跨导
(1)(2)
输入电容（ 2 ）
共源输出
电容（2）
反向传输电容
(2)
开启时间（ 2 ） （ 3 ）
关断时间（ 2 ） （ 3 ）
符号最小值。
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS （ ON）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
（上）
t
（关闭）
80
50
25
5
20
20
500
3.75
375
7.5
7.5
60
1
2.5
10
1
500
MAX 。单位条件。
V
V
nA
µA
µA
mA
V
mV
Ω
Ω
mS
pF
pF
pF
ns
ns
V
DD
≈30V,
I
D
=200mA
R
g
=25Ω, R
L
=150Ω
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
I
D
= 10μA ，V
GS
=0V
I
D
= 250毫安，V
DS
= V
GS
V
GS
=± 20V, V
DS
=0V
V
DS
=48V, V
GS
=0V
V
DS
=48V, V
GS
= 0V ，T = 125°C
(2)
V
DS
=25V, V
GS
=10V
V
GS
= 10V ，我
D
=500mA
V
GS
= 5V ，我
D
=50mA
V
GS
= 10V ，我
D
=500mA
V
GS
= 5V ，我
D
=50mA
V
DS
= 25V ，我
D
=500mA
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
（ 2 ）样品测试。
（ 3 ）开关时间测量50Ω源阻抗和＆lt; 5ns的上升时间的脉冲发生器
辣妹参数数据可应要求提供此设备
3-2
ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
