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    2N6715 参数 Datasheet PDF下载

    2N6715图片预览
    型号： 2N6715
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅平面中功率晶体管 [NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 30 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
       
    NPN硅平面
    中功率晶体管
    第1期？ MARCH 94
    特点
    * 40伏V
    首席执行官
    50 ，在我*增益
    C
    = 1安培
    * P
    合计
    = 1瓦
    2N6714
    2N6715
    C
    B
    E
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    在T功耗
    AMB
    = 25°C
    工作和存储温度范围
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    40
    30
    5
    2
    1
    1
    电子线
    TO92兼容
    2N6714 2N6715
    50
    40
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    °C
    -55到+200
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    集电极 - 基
    击穿电压
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    发射极 - 基
    击穿电压
    集电极截止
    当前
    发射极截止
    当前
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射
    导通电压
    静态前进
    电流传输
    比
    过渡
    频率
    集电极和基
    电容
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE
    f
    T
    C
    CB
    55
    60
    50
    50
    40
    30
    5
    0.1
    0.1
    0.5
    1.2
    55
    60
    50
    50
    2N6714
    分钟。
    50
    40
    5
    0.1
    0.1
    0.5
    1.2
    2N6715
    马克斯。
    V
    V
    V
    µ
    A
    µ
    A
    µ
    A
    单位
    条件。
    I
    C
    = 1mA时，我
    E
    =0
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =0*
    I
    E
    = 1mA时，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 40V ，我
    E
    =0
    V
    CB
    = 50V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =100mA*
    IC = 1A ，V
    CE
    =1V*
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =1V*
    I
    C
    = 100mA时V
    CE
    =1V*
    I
    C
    = 1A ，V
    CE
    =1V*
    MAX 。 MIN 。
    V
    V
    250
    500
    30
    250
    500
    30
    兆赫
    pF
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    =10V
    V
    CE
    = 10V ， F = 1MHz的
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2%
    3-5

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