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    2N6517 参数 Datasheet PDF下载

    2N6517图片预览
    型号： 2N6517
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅平面中功率晶体管 [NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 30 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
       
    NPN硅平面
    中功率晶体管
    第1期？ MARCH 94
    特点
    * 350伏V
    首席执行官
    15 ，在我*增益
    C
    =100mA
    2N6517
    C
    B
    E
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    基极电流
    连续集电极电流
    在T功耗
    AMB
    = 25°C
    工作和存储温度范围
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    B
    I
    C
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    350
    350
    6
    250
    500
    680
    电子线
    TO92兼容
    价值
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mW
    °C
    -55到+200
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    集电极 - 基
    击穿电压
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    发射极 - 基极击穿
    电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射
    饱和电压
    基射极导通
    电压
    静态正向电流
    传输比
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    分钟。
    350
    350
    5
    50
    50
    0.3
    0.35
    0.5
    1.0
    0.80
    0.85
    0.90
    2.0
    20
    30
    30
    20
    15
    40
    3-3
    马克斯。
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    条件。
    I
    C
    =100
    µ
    A，I
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0*
    I
    E
    =10
    µ
    A，I
    C
    =0
    V
    CB
    = 250V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =1mA*
    I
    C
    = 20mA时，我
    B
    =2mA*
    I
    C
    = 30mA时我
    B
    =3mA*
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =5mA*
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =1mA*
    I
    C
    = 20mA时，我
    B
    =2mA*
    I
    C
    = 30mA时我
    B
    =3mA*
    IC = 100mA时V
    CE
    =10V*
    I
    C
    = 1mA时， V
    CE
    =10V
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =10V*
    I
    C
    = 30mA时V
    CE
    =10V*
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    =10V*
    I
    C
    = 100mA时V
    CE
    =10V*
    兆赫
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    = 20V ， F = 20MHz的
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE
    200
    200
    跃迁频率
    f
    T
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2%

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