BS250PSTZ 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BS250PSTZ
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内容描述：	[Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 45V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, E-LINE PACKAGE-3]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 84 K
品牌：	ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]

BS250F

TYPICAL CHARACTERISTICS

120

100

Note:V

DS=

-10V

0 -0.1 -0.2 -0.3 -0.4 -0.5 -0.6 -0.7 -0.8 -0.9 -1.0

120

100

Note:V

DS=

-10V

0 -1

-2

-3

-4

-5

-6

-7

-8

-9

-10

-Transconductance (mS)

- Drain Current (Amps)

-Gate Source Voltage (Volts)

Transconductance v drain current

Transconductance v gate-source voltage

-Gate Source Voltage (Volts)

rss

-10

-20

-30

-40

-50

-60

-70

iss

Note:V

GS=

f=1MHz

-2

-4

-6

-8

-10

-12

-14

-16

0.5

1.0

1.5

-20V -40V -60V

Note:I

D=-

0.2A

C-Capacitance (pF)

oss

-Drain Source Voltage (Volts)

Q-Gate Charge (nC)

Capacitance v drain-source voltage

Gate charge v gate-source voltage

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