MT88E43
VDD
TIP / A
数据表
VDD
R
4
MT88E43
1N4003
IN +
VDD
60K4
1N4003
22nF
5%
R
1
1N4003
53K6
R
4
VDD
464K
IN-
GS
V
REF
帽
VDD
1N914
1N4003
22nF
5%
R
1
TISP4180,
TISP5180,
TPA150A12或
TPB150B12
V
DD
ST / GT
美东时间
性病
INT
CD
DR
数据
DCLK
FSKEN
PWDN
IC
R
3
C
VDD
100K
20%
1N914
戒指/ B
R
2
499K, 5%
100nF
1N914
5%
1N914
TRIGIN
TRIGRC
触发输出
模式
150K
5%
499K, 5%
100nF
5%
200K
5%
301K
5%
220nF
100nF
OSCIN
OSCOUT
V
SS
1N914
注：电阻器必须有1 ％的容差和电容有20 ％
公差，除非另有规定。
：水晶是3.579545MHz ， 0.1 ％频率容限。
：对于BT应用程序C = 0.1μF
±5%,
R
3
=422kΩ
±1%,
R
2
=422kΩ
±1%
:
对于应用CAS言论豁免权是必需的（如CIDCW ）
C=0.1µF
±5%,
R
3
=825kΩ
±1%,
R
2
=226kΩ
±1%
: R
1
= 430K ，R
4
= 34K的V
DD
= 5V
±
10 ％ （见图10 ）
: R
1
= 620K ，R
4
= 63K4为V
DD
= 3V
±
10 ％ （见图10 ）
=为微控制器
=从微控制器
（ FSK接口模式选择0 ）
图9 - 应用电路
应用电路
在图9和图11所示的电路是
为MT88E43应用电路。随着供应
电压（V
DD
）降低，的阈值
设备的语气和FSK检波器会降低。
因此，为满足BT或Bellcore的语气拒绝
级别要求的内部运算放大器的增益
应根据该图中的图被减少
10.例如，当V
DD
= 5V （ +/- 10％ ）中，R
1
应
等于430kΩ和R
4
应等于34kΩ ;而如果
V
DD
= 3V （+/- 10 ％）的R
1
应等于620kΩ和R
4
应等于63.4kΩ 。电阻R
1
和R
4
是
在图9和11所示。
在图9所示的电路示出了使用的
MT88E43在专用系统，该系统不需要
符合FCC ， DOC ，和UL认证。应当指出的
如果塞尖/塞环接口上的毛刺具有足够的
振幅，电路将错误地检测这些信号称为
振铃或线反转。
在图11所示的电路会提供公共
模抑制由振铃电路接收的信号。
该电路必须经过指定的安全相关的测试
FCC第68部分， DOC CS- 03 ， UL 1459和CSA C22.2 。
5-62
这些安全严格的测试会模拟的高电压的故障那个
可能发生就行。该电路提供隔离
从通过R1和12k1Ω这些高电压故障重
电阻取值以及值为22nF & 330nF电容器。 IRC
生产电阻（部件编号GS3 ）应
用于R 1 。该电阻器是一个3W ，5％， 1kV电力
电阻器。该12k1电阻是由IRC制造（部分
数FA8425F ） 。这个电阻是1.5W ，5％， fusea-
BLE型电阻器。该值为22nF和330nF电容有
一个400V的评级。
请参阅应用笔记"MSAN - 164 ：中的应用
该MT8843主叫号码识别电路为2"
在设计MT88E43到CID信息
CIDCW系统。
100nF
ZARLINK [ ZARLINK SEMICONDUCTOR INC ]
