MT88E39
VDD
R
2
MT88E39
IN +
VDD
环
数据表
VDD
TIP
C1
R
1
D1
D2
100 nF的
20%
V
DD
IC
VDD
VDD
R
9
*
1
C2
R
3
D3
D4
R
4
R
5
R
6
R
7
IN-
GS
V
REF
帽
模式
PWDN
CD
DR
数据
DCLK
R
8
*
1
100 nF的
20%
D5
D7
D6
D8
1N5231B
OSC1
XTAL
OSC2
V
SS
100 nF的
10%
50 V
（ FSK接口模式选择0 ）
VDD
=为微控制器
=从微控制器
200 K
5%
摩托罗拉
4N25
464 K
5%
（环检测）
10 nF的
以微控制器
330 nF的R10
10%
250 V
注意：
*当FSK接口选择模式1 ，不需要1 R8和R9 。
除非另有说明，电阻器为1％ ，0.1瓦特;电容是5 ％ ， 6.3 V
D1，D2 ，D3，D4 =二极管1N4003或1N4148或等效
D5 ， D6 ， D7 ， D8 =桥式整流器呃二极管， 1N914
XTAL = 3.579545 MHz的+/- 0.2 ％
R8 = R9 = 100 K， 20％的
R10 = 12K1 ， 1W5 ，5％，可熔电阻
R2 = R4 = 34 ķ
1000 Vrms的，从技巧到地球和环地球60赫兹隔离：
R1 = R3 = 430 K， 0.5瓦，5％， 475 V最小。例如，IRC型GS-3
C1 = C2 = 2 N2 ， 1332 V最小
如果1000Vrms通过其他方式得到满足，则该电路具有满足FCC第68部分B型振铃：
R1 = R3 = 432 K，为0.1W ，1％， 56 V最小
C1 = C2 = 2n2的， 212V最小
为Vdd的元件值的示例= 5 V +/- 10 ％
对于Bellcore的应用程序，设置输入增益= 0dB为：
对于ETSI应用程序，设置输入增益= -2.5分贝：
R5 = 53K6
R5 = 53K6
R6 = 60K4
R6 = 63K4
R7 = 464K
R7 = 348K
为Vdd的元件值的示例= 3 V +/- 10 ％
对于Bellcore的应用程序，设置输入增益= -3分贝：
对于ETSI应用程序，设置输入增益= -5.5分贝：
R5 = 44K2
R5 = 44K2
R6 = 51K1
R6 = 53K6
R7 = 332K
R7 = 249K
图6 - 应用电路
7
卓联半导体公司
ZARLINK [ ZARLINK SEMICONDUCTOR INC ]
