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    MAR5104CB 参数 Datasheet PDF下载

    MAR5104CB图片预览
    型号： MAR5104CB
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 辐射HARD 4096× 1位的静态RAM [RADIATION HARD 4096 x 1 BIT STATIC RAM]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 262 K
    品牌： ZARLINK [ ZARLINK SEMICONDUCTOR INC ]
     浏览型号MAR5104CB的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MAR5104CB的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MAR5104CB的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MAR5104CB的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MAR5104CB的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MAR5104CB的Datasheet PDF文件第9页浏览型号MAR5104CB的Datasheet PDF文件第10页浏览型号MAR5104CB的Datasheet PDF文件第12页  
    MA5104
    耐辐射
    总剂量辐射测试
    对于产品的采购，以保证总剂量辐射
    各级，各晶圆批次将被批准时，所有样品
    从每批设备通过总剂量辐射试验。
    该样品器件将经受的总剂量
    辐射水平（钴60源），由排序确定
    代码，必须不断满足电气参数
    在数据表中指定。电气试验，前后
    照射时，将读取和记录。
    GEC普莱塞半导体可以提供辐射
    测试符合MIL -STD- 883测试方法1019
    电离辐射（总剂量） 。
    总剂量（功能规格） *
    瞬态干扰（存储数据丢失）
    瞬态干扰（生存）
    中子硬度（功能规格）
    单粒子翻转**
    闭锁
    1x10
    5
    Rad公司（SI ）
    5x10
    10
    Rad公司（SI ） /秒
    >1x10
    12
    Rad公司（SI ） /秒
    >1x10
    15
    牛顿/厘米
    2
    3.4x10
    -9
    错误/位天
    不可能
    *其他总剂量辐射可根据要求的水平
    **最坏的情况下，银河宇宙射线底价 - 星际/高空轨道
    图16 ：辐射硬度参数
    单粒子翻转特性
    不高兴位
    横截面
    （厘米
    2
    /位）
    离子LET （ MeV.cm
    2
    /毫克）
    图17 ：典型的每比特翻转横截面VS离子LET
    10

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