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    MAL5104CE 参数 Datasheet PDF下载

    MAL5104CE图片预览
    型号： MAL5104CE
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 辐射HARD 4096× 1位的静态RAM [RADIATION HARD 4096 x 1 BIT STATIC RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 12 页 / 262 K
    品牌： ZARLINK [ ZARLINK SEMICONDUCTOR INC ]
     浏览型号MAL5104CE的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MAL5104CE的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MAL5104CE的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MAL5104CE的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MAL5104CE的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MAL5104CE的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MAL5104CE的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MAL5104CE的Datasheet PDF文件第9页  
    MA5104
    特性和额定值
    符号
    V
    CC
    V
    I
    T
    A
    T
    S
    参数
    电源电压
    输入电压
    工作温度
    储存温度
    分钟。
    -0.5
    -0.3
    -55
    -65
    马克斯。
    7
    V
    DD
    +0.3
    125
    150
    单位
    V
    V
    °C
    °C
    强调以上这些，可能会造成永久性的
    损坏设备。这是一个值仅为
    该器件在这些condltions functlonal操作
    或者在任何其它条件超出上述指示的
    本规范的操作部分，是不是暗示
    暴露在绝对maxlmum极限条件下，
    扩展perlods可能会影响器件的可靠性。
    图3 ：绝对最大额定值
    注意到对于表4和表5：
    1.特性适用于预辐射在T
    A
    = -55 ° C至+ 125°C与V
    DD
    = 5V
    ±10%
    并张贴10万拉德（ Si）的总剂量
    辐射在T
    A
    = 25 ℃， V
    DD
    = 5V
    ±10%
    （特性在更高的辐射水平应要求提供） 。
    2，最坏的情况在T
    A
    = + 125°C ，保证，但在T没有测试
    A
    = -55°C.
    A组编组1 ， 2 ， 3 。
    符号
    V
    DD
    V
    lH
    V
    lL
    V
    OH
    V
    OL
    I
    LI
    I
    LO
    I
    PUI
    I
    PDI
    I
    DD
    I
    SB1
    I
    SB2
    参数
    电源电压
    输入高电压
    输入低电压
    输出高电压
    输出低电压
    输入漏电流（注2）
    输出漏电流（注2 ）
    输入上拉电流
    输入漏电流
    电源电流
    选择的电源电流
    待机电源电流
    条件
    -
    -
    -
    I
    OH1
    = -1mA
    I
    OL
    = 2毫安
    除了所有输入
    CS
    输出禁用，V
    OUT
    = V
    SS
    或V
    DD
    V
    IN
    = V
    SS
    on
    CS
    仅输入
    V
    IN
    = V
    SS
    on
    CS
    仅输入
    f
    RC
    = 1MHz时，
    CS
    = 50 ％大关：空间
    CS
    = V
    SS
    芯片已禁用
    分钟。
    4.5
    V
    DD
    /2
    V
    SS
    2.4
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    5.0
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    12
    25
    50
    马克斯。
    5.5
    V
    DD
    0.8
    -
    0.4
    ±10
    ±20
    -100
    5
    16
    35
    3000
    单位
    V
    V
    V
    V
    V
    µA
    µA
    µA
    µA
    mA
    mA
    µA
    图4 ：电气特性
    符号
    V
    DR
    I
    DDR
    参数
    V
    CC
    数据保留
    数据保持电流
    条件
    CS
    = V
    DR
    CS
    = V
    DR
    , V
    DR
    = 2.0V
    分钟。
    2.0
    -
    典型值。
    -
    30
    马克斯。
    -
    2000
    单位
    V
    µA
    图5 ：数据保持特性
    2

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