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    MAL5104CB 参数 Datasheet PDF下载

    MAL5104CB图片预览
    型号： MAL5104CB
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 辐射HARD 4096× 1位的静态RAM [RADIATION HARD 4096 x 1 BIT STATIC RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 262 K
    品牌： ZARLINK [ ZARLINK SEMICONDUCTOR INC ]
     浏览型号MAL5104CB的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MAL5104CB的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MAL5104CB的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MAL5104CB的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MAL5104CB的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MAL5104CB的Datasheet PDF文件第9页浏览型号MAL5104CB的Datasheet PDF文件第10页浏览型号MAL5104CB的Datasheet PDF文件第11页  
    MA5104
    T
    AVAVW
    地址
    T
    AVWH
    T
    AVWL
    (4)
    T
    WHAV （3）
    T
    WLWH （2）
    WE
    T
    AXQX
    T
    WLQZ
    T
    ELWL
    (7)
    T
    WLQH
    (5)
    (6)
    数据输出
    高
    阻抗
    T
    DVWH
    DATA IN
    数据有效
    T
    WHDX
    T
    ELWH
    CS
    1.
    WE
    必须在所有的地址转换为高。
    2.在重叠（ T A写操作
    WLWH
    ）低
    CS ，
    高CE和一个低
    WE 。
    3. T
    WHAV
    从任一测量
    CS
    or
    WE
    去高或CE变低，以较早者为准，到最后
    的写周期。
    4.如果
    CS
    同时出现低电平跳变或之后，将
    WE
    低电平的转换，输出保持在
    高阻抗状态。
    5.数据输出是在当前周期的写入数据时，如果选中。
    6.数据输出是下一个地址读出的数据，如果选择的。
    7. T
    ELWL
    必须得到满足，以防止内存崩溃。
    图12 ：写周期
    6

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