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MAL5104CDXXX 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	MAL5104CDXXX
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内容描述：	[SRAM,]
分类和应用：	存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小：	12 页 / 262 K
品牌：	ZARLINK [ ZARLINK SEMICONDUCTOR INC ]

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1995年4月

MA5104

DS3580-3.2

MA5104

辐射HARD 4096× 1位的静态RAM

的MA5104 4k的静态RAM构成为4096× 1位，并且

采用CMOS - SOS高性能，辐射硬制造，

3μm的技术。

该装置具有通过控制单独的输入和输出端

片选和写使能。本设计采用了6晶体管单元和

具有完全静态操作，无需时钟或定时选通。

地址输入缓冲区被取消当片选在高

状态。

操作模式

读

写

待机

CS

L

L

H

WE

H

L

X

I / O

D OUT

d。在

高Z

ISB2

动力

ISB1

特点

s

3微米的CMOS工艺SOS

s

闭锁免费

s

快速存取时间为90ns的典型

s

总剂量10

6

Rad公司（SI ）

s

瞬时翻转>10

10

Rad公司（SI ） /秒

s

SEU <10

-10

错误/ bitday

s

单5V电源

s

三态输出

s

低待机电流10μA典型

s

-55 ° C至+ 125°C操作

s

所有输入和输出完全TTL或CMOS

兼容

s

全静态操作

图1 ：真值表

图2 ：框图

1

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