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MA5104 参数 Datasheet PDF下载

MA5104图片预览
型号: MA5104
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内容描述: 辐射HARD 4096× 1位的静态RAM [RADIATION HARD 4096 x 1 BIT STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 262 K
品牌: ZARLINK [ ZARLINK SEMICONDUCTOR INC ]
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MA5104
AC特性
试验对表5和表6的条件:
1.输入脉冲= V
SS
到3.0V 。
2.时间测量的参考电平= 1.5V 。
3.过渡处测量
±500mV
从稳定状态。
4.这个参数进行采样,而不是100 %测试。
注意到对于表6和表7:
特性适用于预辐射在T
A
= -55 ° C至+ 125°C与V
DD
= 5V ±10% ,并张贴10万拉德( Si)的总剂量辐射
在T
A
= 25 ℃, V
DD
= 5V
±10%.
A组子群9 , 10 , 11 。
符号
T
AVAVR
T
AVQV
T
ELQV
T
ELQX
(4)
T
ELQZ
(4)
T
AXQX
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择到输出有效
片选输出活跃
芯片选择到输出三州
从地址变更输出保持
135
-
-
10
10
10
最大
-
135
135
-
50
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图6 :读周期AC电气特性
符号
T
AVAVW
T
AVWL
T
WLWH
T
WHAV
T
DVWH
T
NHDX
T
WLQZ
(4)
T
ELWL
T
ELWH
T
AVWH
T
WHQX
(4)
参数
写周期Tlme
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据建立时间
数据保持时间
写使能输出到三州
片选写低
芯片的选择要写入的结束
地址有效到写结束
输出端主动写
135
10
50
5
35
5
10
25
85
80
5
最大
-
-
-
-
-
-
50
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图7 :写周期AC电气特性
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
l
= 0V
V
O
= 0V
分钟。
-
-
典型值。
6
8
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
注:t
A
= 25℃和f = 1MHz的。通过鉴定或分析得到的数据;不是常规测量。
图8 :电容
3