MA3864
1993年8月
高级数据
DS3832-2.1
MA3864
抗辐射8192个8位掩膜可编程ROM
在MA3864 64K掩模可编程ROM配置
为8192x8位,采用CMOS - SOS制造的高
性能,抗辐射, 1.5μm的技术。
该设计具有完全静态操作,没有时钟或定时
频闪要求。地址输入缓冲区被取消时,芯片
选择处于高电平状态。
通过定制的制造过程中进行编程
这个过程的倒数第二层。编程数据可能
在EPROM或如在标准的INTEL十六进制数据文件供给
格式。
操作模式
读
输出禁用
待机
*E
L
L
H
X
G
L
H
X
X
I / O
D OUT
高Z
高Z
X
ISB 2
动力
特点
s
1.5μm的CMOS - SOS技术
s
闭锁免费
s
快速存取时间为60ns的典型
s
总剂量10
6
Rad公司(SI )
s
瞬时翻转>10
11
Rad公司(SI ) /秒
s
SEU 4.3 ×10
-11
错误/ bitday
s
单5V电源
s
三态输出
s
低待机电流100μA典型
s
-55 ° C至+ 125°C操作
s
所有输入和输出完全TTL或CMOS兼容
s
全静态操作
s
编程时通过一级快速周转
s
4掩模可编程芯片选择
* E是E1,E2 ,E3,E4的掩模编程的NAND功能
和它们的逆。
图1 :真值表
图2 :框图
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