MA3864
耐辐射
总剂量辐射测试
对于产品的采购，以保证总剂量辐射
各级，各晶圆批次将被批准时，所有样品
从每批设备通过总剂量辐射试验。
该样品器件将经受的总剂量
辐射水平（钴60源），由排序确定
代码，必须不断满足电气参数
在数据表中指定。电气试验，前后
照射时，将读取和记录。
GEC普莱塞半导体可以提供辐射
测试符合MIL -STD- 883测试方法1019
电离辐射（总剂量） 。
总剂量（基本功能）
总剂量（功能规格）
瞬时翻转
中子硬度（功能规格）
单粒子翻转（ GSO 10 ％，最坏的情况下）
闭锁
1x10
5
Rad公司（SI ）
1x10
6
Rad公司（SI ）
>10
11
Rad公司（SI ） /秒
>10
15
中子/平方厘米
2
4.3x10
-11
错误/ bitday
不可能
图14 ：典型的辐射性能参数
订购信息
独特的电路代号
面膜修订
耐辐射
S
R
T
Q
辐射处理难
100 kRads （ Si）的保证
150 kRads （ Si）的保证
300 kRads （ Si）的保证
对于辐射水平高于
声明请联系市场部
x15Sx88nnxxxxxx
QA / QCI过程
（见第9章第4部分）
测试过程
（见第9章第3部分）
T
C
TTL
CMOS
装配工艺
（见第9章第2部分）
可靠性水平
套餐类型
C
F
陶瓷DIL （焊接密封）
扁平封装（焊接密封）
L
C
D
E
B
S
相对0
相对1
相对2
相对3/4/ 5 / STACK
B类
S级
对于可靠性， QA / QC ，测试和封装的详细信息
选项，请参阅“制造能力和质量
鉴证准则“第9条。
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