SL2524
电气特性 - SL2524B
保证在以下测试条件下，除非另有说明
频率= 200MHz的，T
AMB
= + 25 ° C，输入功率= -30dBm ，V
CC
= 6V
±0.1V,
源阻抗= 50Ω 。
负载阻抗50Ω = ，测试电路=图。 4，R
SET
= 300Ω 。试验作为双台。
特征
电源电流
小信号增益（双级，
单端）
价值
民
70
9.6
10.1
9.9
9.5
9.7
9.3
8.2
检测到的输出电流（电流）
3.20
3.05
3.15
3.10
2.80
2.90
2.85
检测到的输出电流
（无信号）
上截止频率（RF）的
0.85
0.80
0.80
600
900
600
低截止频率（RF）的
探测器截止频率
有限IF O / P电压
相位变化与输入电平
（归到-30dBm ）
135
典型值
87
11.4
11.6
11.3
11.0
11.2
10.7
9.7
3.45
3.25
3.30
3.30
3.10
3.15
3.10
0.95
0.93
0.90
1100
1100
800
0.35
700
155
0±2.0
-4.0±2.0
有限的O / P VAR与温度。
噪声系数
载之前最大I / P
输入阻抗
输出阻抗
±12
14
15
1
50
175
0±3.0
-4.0±3.0
±25
1
最大
100
13.0
13.1
12.7
12.5
12.7
12.1
11.2
3.70
3.45
3.45
3.50
3.30
3.45
3.65
1.15
1.10
1.10
mA
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
mV
度
度
mV
dB
DBM
kΩ
Ω
在为1kΩ在2pF并行
T
AMB
= + 25°C F = 25MHz的见注1 ， 3
T
AMB
= -40°C F = 200MHz的见注2，注3
T
AMB
= + 25°C F = 200MHz的见注3
T
AMB
= + 85°C F = 200MHz的见注2，注3
T
AMB
= -40°C F = 500MHz的见注2，注3
T
AMB
= + 25°C F = 500MHz的见注3
T
AMB
= + 85°C F = 500MHz的见注2，注3
T
AMB
= + 25 ° C，V
IN
=为0dBm ， F = 25MHz的
见注1
T
AMB
= -40°C ，V
IN
=为0dBm ， F = 200MHz的
见注2
T
AMB
= + 25 ° C，V
IN
=为0dBm ， F = 200MHz的
T
AMB
= + 85°C ，V
IN
=为0dBm ， F = 200MHz的
见注2
T
AMB
= -40°C ，V
IN
=为0dBm ， F = 500MHz的
见注2
T
AMB
= + 25 ° C，V
IN
=为0dBm ， F = 500MHz的
T
AMB
= + 85°C ，V
IN
=为0dBm ， F = 500MHz的
见注2
T
AMB
= -40°C ，见注2
T
AMB
= + 25 ° C，见注2
T
AMB
= + 85°C ，见注2
-3dB w.r.t为200MHz ，T
AMB
= -40°C
见注2
-3dB w.r.t为200MHz ，T
AMB
= +25°C
-3dB w.r.t为200MHz ，T
AMB
= +85°C
见注2
-3dB w.r.t为200MHz ，T
AMB
= +25°C
50％的O / P电流w.r.t. 200MHz的
I / P =功率为0dBm ，T
AMB
= +25°C
频率= 70MHz时， -55至+ 3dBm的
见注2
频率= 200MHz的， -55至+ 3dBm的
见注2
见注1
单位
条件
笔记
1.参数的保证，但未经测试
2.测试在25℃而已，但在保证温度
3.增益通常会了6dB ，增加射频输出使用1kΩ的负载代替50Ω的
3
ZARLINK [ ZARLINK SEMICONDUCTOR INC ]
