UM4409
P沟道30V的快速开关MOSFET
电气特性（T
J
=25
符号
BV
DSS
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏源击穿电压
T
J
BV
DSS
温度COEF网络cient
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
正向跨导
总栅极电荷（ -4.5V ）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
=-15V , V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DD
=-15V , V
GS
= -10V ，R
G
=3.3 ,
I
D
=-10A
V
DS
=-15V , V
GS
= -4.5V ，我
D
=-10A
中，除非另有说明）
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考25
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-8A
V
GS
=V
DS
, I
D
=-250uA
V
DS
=-24V , V
GS
= 0V ，T
J
=25
V
DS
=-24V , V
GS
= 0V ，T
J
=55
V
GS
20V , V
DS
=0V
V
DS
= -5V ，我
D
=-10A
, I
D
=-1mA
V
GS
= -10V ，我
D
=-10A
分钟。
-30
---
---
---
-1.2
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
典型值。
---
-0.018
6.2
9.5
-1.6
5.04
---
---
---
25
30
10
10.4
9.4
10.2
117
24
3448
508
421
马克斯。
---
---
7.5
12
-2.5
---
-1
-5
100
---
42
14
14.6
19
18
234
48
4827
711
589
pF
ns
nC
单位
V
V/
m
V
毫伏/
uA
nA
S
保证雪崩特性
符号
EAS
参数
单脉冲雪崩能量
5
条件
V
DD
= -25V ， L = 0.1mH ，我
AS
=-30A
分钟。
120
典型值。
---
马克斯。
---
单位
mJ
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
1,6
脉冲源电流
2,6
二极管的正向电压
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
V
G
=V
D
= 0V ，强制电流
V
GS
= 0V时，我
S
= -1A ，T
J
=25
I
F
= -10A ，的di / dt = 100A / μs的，
T
J
=25
分钟。
---
---
---
---
---
典型值。
---
---
---
19.4
9.1
马克斯。
-10
-40
-1.2
---
---
单位
A
A
V
nS
nC
注意：
2
安装在一个1英寸FR-4板与2OZ铜表面进行测试1.数据。
脉冲，脉冲宽度2.测试数据
300US ，占空比
2%
3， EAS的数据显示最大。投资评级。测试条件为V
DD
=-25V,V
GS
=-10V,L=0.1mH,I
AS
=-55.4A
4，功耗为150限制
结温
5.最小。值为100％的EAS检测保证。
6，数据在理论上是相同的，因为我
D
我
DM
在实际应用中，应该由总功耗的限制。
2
XINDEYI [ ShenZhen XinDeYi Electronics Co., Ltd. ]
