UG2504W
双N沟道20V的快速开关MOSFET
电气特性（T
J
=25
℃,
除非另有说明）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
△V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
正向跨导
栅极电阻
总栅极电荷（ 4.5V ）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
=15V , V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DD
=10V , V
GS
= 10V ，R
G
=3.3Ω
I
D
=5A
V
DS
=15V , V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=4A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=3A
V
GS
=V
DS
, I
D
=250uA
V
DS
=16V , V
GS
= 0V ，T
J
=25℃
V
DS
=16V , V
GS
= 0V ，T
J
=55℃
V
GS
=±12V
, V
DS
=0V
V
DS
= 5V ，我
D
=5A
V
DS
=0V , V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
分钟。
20
---
---
---
---
0.3
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
典型值。
---
0.028
17
22
35
0.6
-3.21
---
---
---
28
1.5
14.8
1.44
2.8
3.2
40
40.8
9.2
952
90
79
马克斯。
---
---
22
28
44
1
---
1
5
±100
---
3
20.7
2.0
3.9
6.4
80
82
18.4
1333
126
111
pF
ns
nC
V
毫伏/ ℃
uA
nA
S
Ω
mΩ
单位
V
V/℃
ΔBV
DSS
/△T
J
BVDSS温度系数
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
1,4
脉冲源电流
2,4
二极管的正向电压
2
条件
V
G
=V
D
= 0V ，强制电流
V
GS
= 0V时，我
S
= 1A ，T
J
=25℃
分钟。
---
---
---
---
---
典型值。
---
---
---
8.9
2.9
马克斯。
5.8
24
1.2
---
---
单位
A
A
V
nS
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
F
= 5A ，的di / dt = 100A / μs的，T
J
=25℃
注意：
2
安装在一个1英寸FR-4板与2OZ铜表面进行测试1.数据。
脉冲，脉冲宽度2.测试数据
≦
300US ，占空比
≦
2%
3，功耗为150 ℃的结温限制
4.数据在理论上是相同的，因为我
D
我
DM
在实际应用中，应该由总功耗的限制。
2
XINDEYI [ ShenZhen XinDeYi Electronics Co., Ltd. ]
