UD0016
N-CH 100V快速开关MOSFET
电气特性（T
J
=25
℃,
除非另有说明）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=15A
V
GS
=V
DS
, I
D
=250uA
V
DS
=80V , V
GS
= 0V ，T
J
=25℃
V
DS
=80V , V
GS
= 0V ，T
J
=55℃
V
GS
=±20V
, V
DS
=0V
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
V
DS
=0V , V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
=80V , V
GS
= 10V ，我
D
=20A
分钟。
100
---
---
---
1.0
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
V
DD
=50V , V
GS
= 10V ，R
G
=3.3Ω
I
D
=20A
---
---
---
---
V
DS
=15V , V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
---
---
典型值。
---
0.098
38
40
1.5
-5.52
---
---
---
28.7
1.6
60
9.7
11.8
10.4
46
54
10
3848
137
82
马克斯。
---
---
47
50
2.5
---
10
100
±100
---
3.2
84
14
16.5
21
83
108
20
5387
192
115
pF
ns
nC
单位
V
V/℃
mΩ
V
毫伏/ ℃
uA
nA
S
Ω
ΔBV
DSS
/△T
J
BVDSS温度系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
△V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
正向跨导
栅极电阻
总栅极电荷（ 10V ）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
保证雪崩特性
符号
EAS
参数
单脉冲雪崩能量
5
条件
V
DD
= 25V ，L = 0.1mH ，我
AS
=15A
分钟。
13.4
典型值。
---
马克斯。
---
单位
mJ
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
脉冲源电流
2,6
2
1,6
条件
V
G
=V
D
= 0V ，强制电流
V
GS
= 0V时，我
S
= 1A ，T
J
=25℃
I
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的，T
J
=25℃
分钟。
---
---
---
---
---
典型值。
---
---
---
30
37
马克斯。
22
45
1.2
---
---
单位
A
A
V
nS
nC
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意：
2
安装在一个1英寸FR-4板与2OZ铜表面进行测试1.数据。
脉冲，脉冲宽度2.测试数据
≦
300US ，占空比
≦
2%
3， EAS的数据显示最大。投资评级。测试条件为V
DD
=25V,V
GS
=10V,L=0.1mH,I
AS
=27A
4，功耗为150 ℃的结温限制
5.最小。值为100％的EAS检测保证。
6，数据在理论上是相同的，因为我
D
我
DM
在实际应用中，应该由总功耗的限制。
2
XINDEYI [ ShenZhen XinDeYi Electronics Co., Ltd. ]
