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R
Platform Flash在系统可编程
配置PROM
产品speci fi cation
DS123 （ v2.17 ） 2009年10月26日
特点
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在系统可编程PROM中的配置
赛灵思的FPGA
低功耗先进的CMOS NOR闪存工艺
20,000编程/擦除周期耐力
工作在整个工业温度范围
（ -40℃至+ 85℃）
IEEE标准1149.1 / 1532边界扫描（ JTAG ）
支持程序设计，原型设计和测试
标准FPGA的JTAG命令启动
CON组fi guration
级联存储较长或多个比特流
专用边界扫描（ JTAG ） I / O电源电压（V
CCJ
)
I / O引脚兼容电压等级从
1.8V至3.3V
设计支持使用赛灵思ISE®联盟
FOUNDATION™软件包
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XCF01S/XCF02S/XCF04S
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3.3V电源电压
串行FPGA配置接口
可在小尺寸的VO20和VOG20
套餐
1.8V电源电压
串行或并行FPGA配置接口
可在小尺寸VO48 ， VOG48 ， FS48 ，
和FSG48包
设计修改技术实现了存储和
访问多个设计修订的
CON组fi guration
内置的数据解压缩兼容赛灵思
先进的压缩技术
XCF08P/XCF16P/XCF32P
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描述
赛灵思推出平台的Flash一连串的系统
可编程配置PROM 。可在
为1〜32 Mb的密度，这些PROM中提供一种易于使用，
具有成本效益的，以及用于存储大量的可重复编程方法
赛灵思FPGA配置比特流。该平台的Flash
PROM系列既包括3.3V XCFxxS PROM和
在1.8V XCFxxP PROM 。该XCFxxS版本包括
4兆， 2兆，并且支持主串1兆的PROM
并从串行FPGA配置模式（图
该XCFxxP版本包括32 MB ， 16 MB和
表1：
平台上的Flash PROM特点
设备
XCF01S
XCF02S
XCF04S
XCF08P
XCF16P
XCF32P
密度V
CCINT
V
CCO
范围
（兆）
(V)
(V)
1
2
4
8
16
32
3.3
3.3
3.3
1.8
1.8
1.8
1.8 – 3.3
1.8 – 3.3
1.8 – 3.3
1.8 – 3.3
1.8 – 3.3
1.8 – 3.3
V
CCJ
范围
(V)
2.5 – 3.3
2.5 – 3.3
2.5 – 3.3
2.5 – 3.3
2.5 – 3.3
2.5 – 3.3
套餐
VO20/VOG20
VO20/VOG20
VO20/VOG20
VO48/VOG48
FS48/FSG48
VO48/VOG48
FS48/FSG48
VO48/VOG48
FS48/FSG48
(1)
支持主串，从串8兆的PROM ，
主动SelectMAP和从动SelectMAP FPGA
配置模式（图
当从一个稳定的外部时钟驱动，逍遥能
输出数据速率高达33 MHz的。请参阅
时序方面的考虑。
的平台闪存PROM家人摘要
并且支持的功能显示在
程序在系统
通过JTAG
串行
CONFIG 。
并行
CONFIG 。
设计
Revisioning
压缩
注意事项：
1. XCF08P支持，需要跟其它XCFxxP PROM级联存储设计修改。看
了解详细信息。
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DS123 （ v2.17 ） 2009年10月26日
产品speci fi cation
1
XILINX [ XILINX, INC ]
