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R
Platform Flash在系统可编程
配置PROM
产品speci fi cation
DS123 （ v2.13.1 ） 2008年4月3日
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特点
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在系统可编程PROM中的配置
赛灵思
®
FPGA的
低功耗先进的CMOS NOR闪存工艺
20,000编程/擦除周期耐力
工作在整个工业温度范围
（ -40℃至+ 85℃）
IEEE标准1149.1 / 1532边界扫描（ JTAG ）
支持程序设计，原型设计和测试
标准FPGA的JTAG命令启动
CON组fi guration
级联存储较长或多个比特流
专用边界扫描（ JTAG ） I / O电源电压（V
CCJ
)
I / O引脚兼容电压等级从
1.5V至3.3V
设计支持使用Xilinx ISE联盟
®
和
基金会ISE ™系列软件包
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XCF01S/XCF02S/XCF04S
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3.3V电源电压
系列FPGA配置界面（最多33兆赫）
可在小尺寸的VO20和VOG20
套餐
1.8V电源电压
串行或并行FPGA配置接口
（高达33 MHz）的
可在小尺寸VO48 ， VOG48 ， FS48 ，
和FSG48包
设计修改技术实现了存储和
访问多个设计修订的
CON组fi guration
内置的数据解压缩兼容赛灵思
先进的压缩技术
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XCF08P/XCF16P/XCF32P
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描述
赛灵思推出平台的Flash一连串的系统
可编程配置PROM 。可在1到32
兆位（兆位）的密度，这些PROM中提供了一个易于
使用的，具有成本效益的，以及用于存储可重编程方法
大赛灵思FPGA配置比特流。平台
闪存PROM系列包括两个3.3V XCFxxS PROM
和1.8V XCFxxP PROM 。该XCFxxS版本包括
支持主站4兆位， 2 - Mb和1兆位的PROM
表1：
平台上的Flash PROM特点
设备
密度
V
CCINT
V
CCO
范围
V
CCJ
范围
套餐
节目
在系统
通过JTAG
串行
CONFIG 。
并行
CONFIG 。
设计
Revisioning
压缩
串行和从串行FPGA配置模式
该XCFxxP版本包括32 - Mbit的，
支持主串16兆位，和8兆比特的PROM ，
从串行，主动SelectMAP和从动SelectMAP
FPGA配置模式（图
摘要
该平台闪存PROM家庭成员和支持
特性示于
XCF01S
XCF02S
XCF04S
XCF08P
XCF16P
XCF32P
1兆位
2兆位
4兆位
8兆位
16兆位
32兆位
3.3V
3.3V
3.3V
1.8V
1.8V
1.8V
1.8V – 3.3V 2.5V – 3.3V
1.8V – 3.3V 2.5V – 3.3V
1.8V – 3.3V 2.5V – 3.3V
1.5V – 3.3V 2.5V – 3.3V
1.5V – 3.3V 2.5V – 3.3V
1.5V – 3.3V 2.5V – 3.3V
VO20/VOG20
VO20/VOG20
VO20/VOG20
VO48/VOG48
FS48/FSG48
VO48/VOG48
FS48/FSG48
VO48/VOG48
FS48/FSG48
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DS123 （ v2.13.1 ） 2008年4月3日
产品speci fi cation
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XILINX [ XILINX, INC ]
