X20C05
设备操作
该
CE， OE ， WE
和
NE
输入控制X20C05
操作。该X20C05字节宽的NOVRAM使用
2线控制架构，以消除总线争用
一个系统的环境。在I / O总线将处于高
阻抗状态时，无论
OE
or
CE
高时，或
当
NE
是低的。
RAM OPERATIONS
RAM的读写操作，因为他们执行
将任何静态RAM 。读操作需要
CE
和
OE
为低电平以
WE
和
NE
HIGH 。写
操作要求
CE
和
WE
为低电平以
NE
HIGH 。没有限制的数目的读或写
操作进行到X20C05的RAM区。
内存传输操作
有两个内存传输操作：召回
操作，从而存储在E中的数据
2
PROM阵列
传送到RAM阵列;和存储操作
这使得RAM阵列中的全部内容被
存储在E
2
PROM阵列。
回想一下操作时自动执行
电和主机系统控制时，根据
NE ， OE
和
CE
低，而且
WE
为HIGH 。此次被召回的操作
最多需要5微秒的。
有启动一个存储操作的两种方法。
第一是软件存储命令。此命令
需要对所使用的五金商店的地方
X20C04 。由进入发布此命令
特殊的命令模式：
NE ， CE，
和
WE
低频闪
而在同一时间的特定地址和数据
组合被发送到设备。这是一个三个步骤
动作：第一地址/数据组合是
155 [H] / AA [ H];第二组合是0AA [H] / 55 [ H];
和最后的命令的组合是155 [H] / 33 [H] 。
伪写操作序列将被立即
ately启动存储操作。参考软件
命令时序图的详细信息，设置和保持
倍的各种信号。
存储数据的第二种方法是通过
自动存储命令。当启用时，数据是自动
matically存储在RAM成电子
2
PROM阵列
每当V
CC
低于预设自动存储
门槛。此功能是通过执行首次启用
两个步骤的软件商店与命令
组合是155 [H] / CC的[H] 。
该自动存储功能是通过发出禁用
用命令的COM三步命令序列
bination为155 [H]的CD / [H] 。在自动存储功能
也将若V重置
CC
低于上电复位
阈值（约3.5V ），并随后升回到
运作范围。
数据保护
该X20C05支持保护的两种方法
非易失性数据。
- 如果上电后的自动存储功能不
使能时，不自动存储可发生。
- 如果在上电后没有任何RAM写入操作都OC-
curred没有存储操作可以启动。软件
存储和自动存储命令将被忽略。
符号表
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从低
到HIGH
可能改变
从高
以LOW
不在乎：
变化
允许
不适用
输出
会
稳定
将改变
从低
到HIGH
将改变
从高
以LOW
更改：
状态不
已知
中线
是高
阻抗
3
XICOR [ XICOR INC. ]
