X1227
模拟微调寄存器（ ATR ） （非易失性）
六个模拟微调位来自
ATR5
to
ATR0
有亲
单元提供了调整片上负载电容范围。
芯片上的负载电容的取值范围为3.25pF到
18.75pF 。每个比特具有不同的权重为电容
tance调整。使用公民CFS- 206水晶
不同的ATR位组合提供了一个估算
配接ppm的范围从+ 116ppm至-37ppm到
标称频率补偿。的组合
数字和模拟微调可以到+ 146ppm放弃
调整。
芯片上的电容可以被计算如下：
C
ATR
= [ （ ATR值，十进制） X电容是0.25 pF ] + 11.0pF
注意，在ATR值在2的补码
用ATR （ 000000 ） = 11.0pF ，所以整个范围内运行
从3.25pF至18.75pF的电容是0.25 pF步骤。
上述计算出的值是典型的，并且总负载
电容看到的晶体将包括近似
封装和电路板电容的额外三方共同的2pF
重刑的ATR值。
请参见应用部分， Xicor公司的应用笔记
AN154了解更多信息。
写入数据到时钟/控制寄存器
改变任何时钟/配置的非易失位
控制寄存器需要以下步骤：
- 写02H状态寄存器来设置写
使能锁存器（ WEL ） 。这是一个易失性的操作，
所以在写操作之后没有延时。 （操作
由起始preceeded并用止动端） 。
- 写06H状态寄存器来设置两个
寄存器写使能锁存器（ RWEL ）和WEL
位。这也是一种挥发性周期。在数据中的零
字节是必需的。 （操作preceeded由起始
并用止动端） 。
- 写一个8字节时钟/控制寄存器
与所需的时钟，报警或控制数据。这
序列始于一个起始位，需要从字节
的“ 11011110 ”与CCR内的地址，并且
由一个停止位结束。在写CCR变化
EEPROM值，所以这些启动非易失性写
周期最多需要10毫秒即可完成。写到
理解过程把网络斯内德地区没有任何效果。该RWEL位
通过完成的非易失性写周期复位，
这样的序列必须被重复以重新发起
另一个变化CCR的内容。如果
序列不以任何理由完成（通过send-
荷兰国际集团的不正确的比特数或发送起始
代替停止，例如）的RWEL位不
复位和设备保持在激活模式。
- 写全零状态寄存器复位都
WEL和RWEL位。
- 任何的读操作发生
以前的操作不会中断寄存器
写操作。
REV 1.1.20 03年1月13日
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