TABLE I. Electrical performance characteristics.
Test
│
│Symbol
│
│
│
│
│
│
│I
CC1
│
│
│
│
│
│I
CC2
│
│
│
│
│I
CC3
│
│
│
│
│I
IH
│
│
│I
IL
│
│
│I
OHZ
2/
│
│
│I
OLZ
2/
│
│
│V
IL
│
│
│V
IH
│
│
│V
OL
│
│
│
│V
OH
│
│
│
│I
OE
│
│
│
Conditions
│
-55°C
≤
T
C
≤+125°C
│
V
SS
= 0 V,
│
4.5 V
≤
V
CC
≤
5.5 V
│unless
otherwise specified 1/
│
│
│
CE = OE = V
IL
,
WE
= V
IH
│
all I/O's = 0 mA,
│Inputs
= V
CC
= 5.5 V,
│f
= 1/tAVAV (minimum)
│
│
│
CE = V
IH
, OE = V
IL
│
all I/O's = 0 mA
│Inputs
= V
CC
-0.3 V
│
│
│
CE = V
CC
-0.3 V
│
all I/O's = 0 mA,
│Inputs
= V
IL
to V
CC
-0.3 V
│
│
│V
IN
= 5.5 V
│
│
│V
IN
= 0.1 V
│
│
│V
OUT
= 5.5 V, CE = V
IH
│
│
│V
OUT
= 0.1 V, CE = V
IH
│
│
│
│
│
│
│
│
│I
OL
= 2.1 mA, V
IH
= 2.0 V
│V
CC
= 4.5 V, V
IL
= 0.8 V
│
│
│I
OH
= -400 µA, V
IH
= 2.0 V
│V
CC
= 4.5 V, V
IL
= 0.8 V
│
│
│V
H
= 13 V
│
│
│Group
A
│subgroups
│
│
│
│
│
│
1,2,3
│
│
│
│
│
│
1,2,3
│
│
│
│
│
1,2,3
│
│
│
│
│
1,2,3
│
│
│
1,2,3
│
│
│
1,2,3
│
│
│
1,2,3
│
│
│
1,2,3
│
│
│
1,2,3
│
│
│
1,2,3
│
│
│
│
1,2,3
│
│
│
│
1,2,3
│
│
│
│Device │
Limits
│types │
│
│
│
│
│
Min
│
Max
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
All
│
│
│
│
│
│
All
│
│
│
│
│
All
│
│
│
│
│
All
│
│
│
All
│
│
│
All
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
All
All
All
All
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
-10
│
│
│
-10
│
│
│
-10
│
│
│
-10
│
│
│-0.1
│
│
│
2.0
│
│
│
│
│
│
│
2.4
│
│
│
│
-10
│
│
80
│
│
│
│
│
│
3
│
│
│
│
│
350
│
│
│
│
│
10
│
│
│
10
│
│
│
10
│
│
│
10
│
│
│
0.8
│
│
│V
CC
│+
0.3V
│
│
0.45
│
│
│
│
│
│
│
│
100
│
│
│
│
│
│
│
│
│
Unit
Supply current
(active)
│
mA
│
│
│
│
│
│
mA
│
│
│
│
│
µA
│
│
│
│
│
µA
│
│
│
µA
│
│
│
µA
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
µA
V
V
V
Supply current
(TTL standby)
Supply current
(CMOS standby)
Input leakage (high)
Input leakage (low)
Output leakage (high)
Output leakage (low)
Input voltage low
Input voltage high
Output voltage low
Output voltage high
All
V
OE high leakage
(chip erase)
│
All
│
│
µA
│
See footnotes at end of table.
STANDARD
MICROCIRCUIT DRAWING
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
COLUMBUS, OHIO 43218-3990
DSCC FORM 2234
APR 97
SIZE
A
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SHEET
D
5