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BAS19 参数 Datasheet PDF下载

BAS19图片预览
型号: BAS19
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内容描述: 硅平面高速二极管 [SILICON PLANAR HIGH SPEED DIODES]
分类和应用: 二极管光电二极管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 42 K
品牌: WTE [ WON-TOP ELECTRONICS ]
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电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
正向电压
反向漏电流
结电容
反向恢复时间
符号
V
F
I
R
C
j
t
rr
最大
1.0
1.25
100
5.0
50
单位
V
nA
pF
nS
测试条件
@ I
F
= 100毫安
@ I
F
= 200毫安
@额定阻断电压DC
V
R
= 0V , F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 30mA时
I
RR
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100
注: 1。设备安装在玻璃基板40 ×40× 1.5毫米。
BAS19 - BAS21
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