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SBN13002A1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SBN13002A1
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内容描述: 高压快速开关NPN功率晶体管 [High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor]
分类和应用: 晶体开关晶体管高压
文件页数/大小: 5 页 / 265 K
品牌: WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
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SBN13002A1  
Electrical Characteristics (TC=25unless otherwise noted)  
Value  
Symbol  
Units  
Parameter  
Test Conditions  
Min Typ Max  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Ic=0.5mA,Ie=0  
600  
V
BVCBO  
BVCEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Ic=10mA,Ib=0  
400  
-
-
V
VCE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
-
-
-
-
1.6  
1.2  
V
V
Ic=200mA,Ib=100mA  
Ic=200mA,Ib=100mA  
VBE(sat)  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
Collector-Base Cutoff Current  
Collector-Emitter Cutoff Current  
Emitter- Base Cutoff Current  
-
-
-
-
-
-
10  
20  
20  
μA  
μA  
μA  
Vcb=550V,Ie=0mA  
Vce=400V,Ib=0mA  
Veb=9V,Ic=0mA  
10  
9
40  
Vce=20V,Ic=20mA  
Vce=5V, Ic=1mA  
hFE  
DC Current Gain  
ts  
tf  
Storage Time  
Fall Time  
2
-
-
-
-
VCC=250V  
IC=5 IB  
IB1=- IB2=0.04A  
0.8  
Note:  
Pulse Test : Pulse width 300, Duty cycle 2%  
2/5  
.
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