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MMDT5451 参数 Datasheet PDF下载

MMDT5451图片预览
型号: MMDT5451
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内容描述: 多芯片通用晶体管( PNP和NPN ) [Multi-Chip General Purpose TRANSISTOR (PNP and NPN)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 83 K
品牌: WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
 浏览型号MMDT5451的Datasheet PDF文件第2页  
RoHS指令
MMDT5451
MMDT5451
多芯片通用晶体管
( PNP和NPN )
特点
功耗
P
厘米:
200
毫瓦(环境温度Tamb = 25℃)
SOT-363
集电极电流
I
厘米:
±200
mA
集电极 - 基极电压
V
( BR ) CBO
:
180/-160
V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
: -55 ℃〜+ 150 ℃
TR2
TR1
TR2 ( NPN 5551 )电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
TEST
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
W
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
J
E
E
C
E
L
R
T
O
N
C
I
C
O
L
,
.
D
T
制作花絮: KNM
除非另有规定编)
典型值
最大
单位
V
V
V
50
50
nA
nA
条件
Ic=10
0
μA ,我
E
=0
IC 。
1
妈,我
B
=0
I
E
=
10
μA ,我
C
=0
V
CB
=12
0
V,I
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=
1
mA
180
160
6
h
FE
V
CE
= 5V ,我
C
=
10
mA
V
CE
= 5V ,我
C
=50mA
I
C
=
10
妈,我
B
=
1
mA
I
C
=
50
妈,我
B
=
5
mA
I
C
=
10
妈,我
B
=
1
mA
I
C
=
50
妈,我
B
=
5
mA
V
CE
=
10
V,I
C
= 10毫安中,f = 100MHz的
V
CB
=
10
V,I
E
=0, f=
1
兆赫
V
CE
=
5
V,I
C
= 0.2毫安中,f = 1KHz的
80
80
30
250
V
CE ( SAT )
0.15
0.2
1
100
6
8
V
发射极基极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
V
BE ( SAT )
V
兆赫
pF
dB
f
T
C
ob
NF
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