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    MMDT3906 参数 Datasheet PDF下载

    MMDT3906图片预览
    型号： MMDT3906
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 多芯片晶体管（PNP） [Multi-Chip TRANSISTOR (PNP)]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 1 页 / 176 K
    品牌： WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
       
    RoHS指令
    MMDT3906
    MMDT3906
    P
    厘米：
    多芯片晶体管（PNP）
    特点
    功耗
    SOT-363
    0.2
    W（环境温度Tamb = 25℃）
    集电极电流
    I
    厘米：
    -0.2
    A
    集电极 - 基极电压
    V
    （ BR ） CBO
    :
    -40
    V
    工作和存储结温范围
    T
    J
    , T
    英镑
    ： -55 ℃〜+ 150 ℃
    制作花絮： K3N
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    TEST
    电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
    条件
    民
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    I
    EBO
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    W
    集电极输出电容
    噪声系数
    延迟时间
    上升时间
    贮存时间
    下降时间
    J
    E
    E
    C
    E
    L
    h
    FE(1)
    h
    FE(2)
    h
    FE(3)
    h
    FE(4)
    R
    T
    O
    IC 。
    -10
    μA ，我
    E
    =0
    IC 。
    -1
    妈，我
    B
    =0
    I
    E
    =
    -10
    μA ，我
    C
    =0
    N
    C
    I
    C
    -40
    -40
    -5
    60
    80
    100
    60
    30
    O
    L
    ,
    .
    D
    T
    V
    CB
    =
    -30
    V，I
    E
    =0
    V
    EB
    =
    -5
    V，I
    C
    =0
    -0.05
    -0.05
    µA
    µA
    V
    CE
    =
    -1
    V，I
    C
    =
    -0.1
    mA
    V
    CE
    =
    -1
    V，I
    C
    =
    -1
    mA
    V
    CE
    =
    -1
    V，I
    C
    =
    -10
    mA
    V
    CE
    =
    -1
    V，I
    C
    =
    -50
    mA
    300
    h
    FE(5)
    V
    CE
    =
    -1
    V，I
    C
    =
    -100
    mA
    I
    C
    =
    -10
    妈，我
    B
    =
    -1
    mA
    I
    C
    =
    -50
    妈，我
    B
    =
    -5
    mA
    I
    C
    =
    -10
    妈，我
    B
    =
    -1
    mA
    I
    C
    =
    -50
    妈，我
    B
    =
    -5
    mA
    V
    CE
    =
    -20
    V，I
    C
    =
    -10
    毫安， F =
    100
    兆赫
    V
    CB
    =
    -5
    V，I
    E
    =0, f=
    1
    兆赫
    V
    CE
    =
    -5
    V，I
    c
    =
    -0.1
    毫安，
    F = 1KHZ ， RG =
    1
    KΩ
    V
    CC
    =-3V, V
    BE
    =0.5V
    I
    C
    = -10mA ，我
    B1
    =-I
    B2
    = - 1毫安
    V
    CC
    = -3V ，我
    C
    =-10mA
    I
    B1
    =-I
    B2
    = - 1毫安
    V
    CE(sat)1
    V
    CE(sat)2
    -0.25
    -0.4
    -0.65
    V
    V
    V
    V
    兆赫
    V
    BE(sat)1
    V
    BE(sat)2
    -0.85
    -0.95
    f
    T
    C
    ob
    NF
    250
    4.5
    4
    35
    35
    225
    75
    pF
    dB
    nS
    nS
    nS
    nS
    t
    d
    t
    r
    t
    S
    t
    f
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