MMBTA05LT1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MMBTA05LT1
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内容描述：	NPN外延硅晶体管 [NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	1 页 / 71 K
品牌：	WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]

RoHS指令

MMBTA05LT1

NPN外延硅晶体管

放大器TANSISTOR

高集电极 - 发射极电压： VCBO = 60V

集电极电流： IC = 500毫安

集电极耗散： PC =为225mW （ TA = 25

在Ta = 25绝对最大额定值

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散TA = 25 *

结温

储存温度

符号

VCBO

VCEO

VEBO

TSTG

等级

500

225

150

-55-150

单位

2.9

1.9

0.95 0.95

2.4

1.3

在Ta = 25电气特性

特征

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极

电压＃

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

直流电流增益

击穿

符号

BVCBO

民

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

电流增益带宽积

器件总功耗： FR = 1

0.75

0.062in局，减免25 。

脉冲测试：脉冲宽度

300US ，占空比

BVCEO

BVEBO

ICBO

冰

的hFE

VCE （ SAT ）

VBE （ON）的

典型值

最大

单位

兆赫

IC = 1毫安

0.4

1.BASE

2.EMITTER

3.COLLECTOR

单位：mm

测试条件

IC = 100uA的IE = 0

Ib=0

IE = 100uA的IC = 0

VCB = 60V， IE = 0

VCE = 60V IB = 0

VCE = 1V IC = 10毫安

VCE = 1V IC = 100毫安

100

250

0.25

1.2

100

IC = 100毫安IB = 10毫安

IC = 100毫安的Vce = 1V

VCE = 2V， IC = 10毫安

f=100MHz

器件标识：

MMBTA05LT1=1H

永而佳电子有限公司。

HTTP ： // www.wej.cn

电子信箱： wej@yongerjia.com

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