欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    MMBT8550LT1 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT8550LT1图片预览
    型号： MMBT8550LT1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP外延硅晶体管 [PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 144 K
    品牌： WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
     浏览型号MMBT8550LT1的Datasheet PDF文件第2页  
    RoHS指令
    MMBT8550LT1
    PNP外延硅晶体管
    SOT-23
    便携2W输出放大器
    IN CLASS收音机
    B PUSH - PULL操作
    1
    2
    1.
    3
    补
    到MMPT8050LT1
    集电极电流IC = -500mA
    高总功耗： PC =为225mW
    2.4
    1.3
    绝对最大额定值
    特征
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散
    TA = 25℃ *
    结温
    储存温度
    o
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EB
    Ic
    T
    j
    P
    D
    电气特性
    特征
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压＃
    发射极 - 基极击穿电压
    集热器
    -base截止电流
    发射基截止电流
    直流电流增益
    直流电流增益
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    W
    基射极饱和电压
    基射极电压上
    输出电容
    电流增益带宽积
    J
    E
    E
    C
    E
    L
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    R
    T
    T
    英镑
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE1
    h
    FE2
    h
    FE3
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    C
    ob
    f
    T
    O
    N
    -100
    -100
    C
    I
    等级
    -40
    -25
    -6
    -500
    225
    150
    -55-150
    V
    V
    V
    nA
    nA
    C
    O
    0.4
    1.BASE
    2.EMITTER
    3.COLLECTOR
    2.9
    1.9
    L
    ,
    .
    单位：mm
    o
    D
    T
    0.95
    0.95
    （ TA = 25℃ ）
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    O
    O
    C
    C
    （ TA = 25℃ ）
    o
    MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
    -40
    -25
    -6
    条件
    I
    C
    = -100uA我
    E
    =0
    I
    C
    = -1mA我
    B
    =0
    I
    E
    = -100uA我
    C
    =0
    V
    CB
    = -35V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = -6V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = -1V ，我
    C
    =-5mA
    V
    CE
    = -1V ，我
    C
    =-50mA
    V
    CE
    = -1V ，我
    C
    =-500mA
    45
    85
    30
    170
    160
    80
    -0.28 -0.6
    -0.98 -1.2
    -0.66
    15
    1
    V
    V
    V
    PF
    300
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    =-50mA
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    =-50mA
    I
    CE
    = -1mA ，我
    C
    =-10mA
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    =0,f=1MHz
    100
    200
    o
    兆赫V
    CE
    = -10V ，我
    C
    =-50mA
    *器件总功耗： FR = 1X0.75X0.062在局减额
    25 C
    #
    脉冲测试：脉冲宽度300US占空比2 ％
    器件标识：
    MMBT8550LT1=B6
    永而佳电子有限公司。
    HTTP ： // www.wej.cn
    电子信箱： wej@yongerjia.com

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 0755-32882615 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6