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    MMBT2222AT 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT2222AT图片预览
    型号： MMBT2222AT
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR (NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 2 页 / 140 K
    品牌： WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
     浏览型号MMBT2222AT的Datasheet PDF文件第2页  
    RoHS指令
    MMBT2222AT
    MMBT2222AT
    特点
    功耗
    P
    CM
    :
    0.15
    W（环境温度Tamb = 25℃）
    晶体管（ NPN ）
    SOT-523
    1.基地
    2.辐射源
    3.收集
    集电极电流
    I
    厘米：
    0.6
    A
    集电极 - 基极电压
    75
    V
    V
    （ BR ） CBO
    :
    工作和存储结温范围
    T
    J
    , T
    英镑
    ： -55 ℃〜+ 150 ℃
    电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    除非另有规定编）
    TEST
    条件
    IC = 10
    µ
    A，I
    E
    =0
    IC = 10毫安，我
    B
    =0
    I
    E
    =10
    µ
    A，I
    C
    =0
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    输出电容
    W
    延迟时间
    上升时间
    J
    E
    E
    C
    E
    L
    R
    T
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    h
    FE(2)
    h
    FE(3)
    h
    FE(4)
    h
    FE(5)
    I
    首席执行官
    O
    V
    CB
    = 70V ，我
    E
    =0
    V
    CE
    = 35V ，我
    B
    =0
    V
    EB
    = 3V ，我
    C
    =0
    N
    C
    I
    民
    75
    C
    6
    O
    L
    ,
    .
    D
    T
    最大
    单位
    V
    V
    V
    40
    0. 1
    0. 1
    0. 1
    35
    50
    75
    100
    40
    0.3
    1
    1.2
    2
    300
    8
    10
    25
    225
    60
    µ
    A
    µ
    A
    µ
    A
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 0.1毫安
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 1毫安
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 10毫安
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 150毫安
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 500毫安
    V
    CE
    (sat)1
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    = 15毫安
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    =15mA
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    V
    CE
    = 20V ，我
    C
    = 20mA下
    V
    V
    V
    V
    兆赫
    pF
    nS
    nS
    nS
    nS
    V
    CE
    (sat)2
    V
    BE
    (sat)1
    V
    BE
    (sat)2
    f
    T
    C
    ob
    t
    d
    t
    r
    t
    S
    t
    f
    f=
    100MHz
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0
    f=
    1MHz
    V
    CC
    = 30V ，我
    C
    =150mA
    V
    BE （OFF）的
    = 0.5V ，我
    B1
    =15mA
    V
    CC
    = 30V ，我
    C
    =150mA
    I
    B1
    = I
    B2
    = 15毫安
    贮存时间
    下降时间
    记号
    :1P
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    HTTP ： // www.wej.cn
    电子信箱： wej@yongerjia.com

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