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MJD112 参数 Datasheet PDF下载

MJD112图片预览
型号: MJD112
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内容描述: TO- 251 / TO- 252-2塑封装晶体管 [TO-251/TO-252-2 Plastic-Encapsulate Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 109 K
品牌: WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
 浏览型号MJD112的Datasheet PDF文件第2页  
RoHS指令
MJD112
TO- 251 / TO- 252-2塑封装晶体管
TO-251
TO-252-2
江苏长电科技股份有限公司
MJD112
晶体管( NPN )
1.基地
特点
互补达林顿功率晶体管
DPAK对于表面贴装应用
2.收集
3.辐射源
最大额定值(T
A
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θ
JC
R
θ
JA
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
结温
储存温度
价值
100
100
5
2
1
6.25
71.4
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
℃/W
℃/W
电气特性(环境温度Tamb = 25
除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极截止电流
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
h
FE(3)
V
CE(sat)1
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE(sat)2
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
V
BE
f
T
C
ob
I
C
=4A,I
B
=40mA
V
CE
=3V,I
C
=2A
V
CE
=10V,I
C
=0.75A,f=1MHz
V
CB
=10V,I
E
=0,f=0.1MHz
25
100
3
2.8
V
V
兆赫
pF
TEST
条件
100
100
5
20
20
2
500
1000
200
2
V
12000
典型值
最大
单位
V
V
V
µA
µA
mA
I
C
=1mA,I
E
=0
I
C
=30mA,I
B
=0
I
E
=5mA,I
C
=0
V
CB
=100V,I
E
=0
V
CE
=50V,I
E
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
V
CE
=3V,I
C
=500mA
V
CE
=3V,I
C
=2A
V
CE
=3V,I
C
=4A
I
C
=2A,I
B
=8mA
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