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MBTA06LT1图片预览
型号: MBTA06LT1
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内容描述: NPN外延硅晶体管 [NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 70 K
品牌: WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
   
RoHS指令
MBTA06LT1
NPN外延硅晶体管
*
高集电极 - 发射极电压: VCBO = 80V
*
集电极电流: IC = 500毫安
*
集电极耗散: PC =为225mW ( TA = 25
)
1.
在Ta = 25绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散TA = 25 *
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEB
Ic
P
D
Tj
TSTG
等级
80
80
4
500
225
150
-55-150
单位
0.95
2.9
1 .9
2.4
1.3
V
V
mA
mW
0.95
0.4
V
在Ta = 25电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极
电压#
击穿
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
W
J
E
*
#
电流增益带宽积
E
C
E
L
R
T
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
的hFE
1
的hFE
2
VCE ( SAT )
VBE (ON)的
f
T
80
80
O
典型值
N
C
I
单位
V
V
V
nA
nA
C
IC = 1毫安
O
Ib=0
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
L
,
.
D
T
单位:mm
最大
测试条件
IC = 100uA的IE = 0
4
100
100
250
IE = 100uA的IC = 0
VCB = 80V IE = 0
VCE = 60V IB = 0
VCE = 1V IC = 10毫安
VCE = 1V IC = 100毫安
80
80
0.25
1.2
100
V
V
兆赫
IC = 100毫安IB = 10毫安
IC = 100毫安的Vce = 1V
VCE = 2V, IC = 10毫安
f=100MHz
器件总功耗: FR = 1
X
0.75
X
0.062in局,减免25 。
脉冲测试:脉冲宽度
300US ,占空比
2%
器件标识:
MMBTA06LT1=1G
永而佳电子有限公司。
HTTP : // www.wej.cn
电子信箱: wej@yongerjia.com