RoHS指令
MBT6517LT1
NPN外延硅晶体管
高压晶体管
*
集电极耗散： PC =为225mW （ TA = 25
)
*
集电极 - 发射极电压： VCEO = 350V
在Ta = 25绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散TA = 25 *
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
Ic
Ib
P
D
Tj
TSTG
等级
350
350
6
500
250
225
150
-55-150
V
V
V
mA
2.9
1 .9
0.95
1.
2.4
1.3
mA
mW
在Ta = 25电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极
电压＃
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
击穿
符号
BVCBO
BVCEO
民
350
典型值
350
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
W
J
E
*
#
基射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
E
C
E
L
R
T
BVEBO
ICBO
IEBO
Hfe1
Hfe2
Hfe3
Hfe4
Hfe5
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
f
T
6
O
N
最大
C
I
单位
V
V
V
nA
nA
C
IC = 1毫安
O
0.4
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
L
,
.
D
T
0.95
单位：mm
测试条件
IC = 100uA的IE = 0
Ib=0
IE = 10uA的IC = 0
VCB = 250V IE = 0
VEB = 5V， IC = 0
VCE = 10V IC = 1毫安
VCE = 10V IC = 10毫安
50
50
20
30
200
200
30
20
15
VCE = 10V IC = 30毫安
VCE = 10V IC = 50毫安
VCE = 10V IC =百毫安
0.3
0.5
0.75
0.9
2
40
200
V
V
V
V
V
兆赫
IC = 10毫安IB = 1毫安
IC = 30毫安IB = 3毫安
IC = 10毫安IB = 1毫安
IC = 30毫安IB = 3毫安
VCE = 10V IC =百毫安
VCE = 20V IC = 10毫安
F=20MHz
电流增益带宽积
收集基准电容
发射基地电容
建行
CEB
6
80
PF
PF
VCB = 20V IE = 0 F = 1MHz的
VEB = 0.5V F = 1.00MHz
器件总功耗： FR = 1
X
0.75
X
0.062in局，减免25 。
脉冲测试：脉冲宽度
300US ，占空比2 ％
器件标识： MMBT6517LT = 1Z
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