2SD602LT1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SD602LT1
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内容描述：	NPN外延硅晶体管 [NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	1 页 / 75 K
品牌：	WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]

RoHS指令

2SD602LT1

NPN外延硅晶体管

通用晶体管

补充MMBT2907ALT1

集电极耗散：PC （最大值） =为225mW

集电极 - 发射极电压： VCEO = 40V

在Ta = 25绝对最大额定值

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散TA = 25 *

结温

储存温度

符号

VCBO

VCEO

VEBO

TSTG

等级

600

225

150

-55-150

单位

2.9

1.9

0.95

2.4

1.3

在Ta = 25电气特性

特征

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极

电压＃

发射极 - 基极击穿电压

发射Cuto FF电流

收集截止电流

击穿

符号

BVCBO

BVCEO

民

典型值

收集截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

输出电容基地

电流增益带宽积

BVEBO

ICEX

ICBO

IEBO

Hfe1

Hfe2

Hfe3

Hfe4

Hfe5

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

COB

最大

单位

IC = 10毫安

0.4

1.GATE

2.SO URCER

3.DRAIE

0.95

单位：mm

测试条件

IC = 10uA的IE = 0

Ib=0

IE = 10uA的IC = 0

VCE = 60V VEB = 3V

VCB = 60V， IE = 0

VCB = 60VIe = 0的Ta = 125

VCB = 3V IC = 0

VCE = 10V IC = 0.1毫安

VCE = 10V IC = 1毫安

VCE = 10V IC = 10毫安

100

0.3

0.6

1.2

300

兆赫

300

VCE = 10V IC = 150毫安

VCE = 10V IC = 500毫安

IC = 150毫安IB = 15毫安

IC = 500毫安IB = 50毫安

IC = 150毫安IB = 15毫安

IC = 500毫安IB = 50毫安

VCB = 10V IE = 0 F = 1MHZ

VCE = 20V IC = 20mA下

f=100MHz

器件总功耗： FR = 1

0.75

0.062in局，减免25 。

脉冲测试：脉冲宽度

器件标识：

300US ，占空比

2SD602LT1=1P

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