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2SD2583 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SD2583
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内容描述: 晶体管( NPN ) [TRANSISTOR (NPN)]
分类和应用: 晶体晶体管开关局域网
文件页数/大小: 1 页 / 126 K
品牌: WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
   
RoHS指令
2SD2583
2SD2583
特点
功耗
P
CM
:
晶体管( NPN )
TO-126
1
W(环境温度Tamb = 25℃)
1.发射器
2.收集
3. BASE
集电极电流
I
CM
:
5
A
集电极 - 基极电压
V
( BR ) CBO
:
30
V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
: -55 ℃〜+ 150 ℃
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
除非另有规定编)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
W
跃迁频率
集电极输出电容
J
E
E
C
E
L
I
EBO
R
T
O
TEST
条件
IC 。
0.1
妈,我
E
=0
IC 。
1
妈,我
B
=0
N
C
I
C
123
O
典型值
L
,
.
最大
D
T
单位
V
V
V
30
30
6
0.1
0.1
150
50
0.15
0.25
0.5
1.5
120
77
600
I
E
=
0.1m
A,I
C
=0
V
CB
=
30
V,I
E
=0
V
EB
=
6
V,I
C
=0
V
CE
=
2
V,I
C
=1A
V
CE
=
2
V,I
C
=
4
A
µA
µA
h
FE(1)
h
FE(2)
I
C
=
1
A,I
B
=50mA
I
C
= 2A ,我
B
=100mA
I
C
=
4
A,I
B
=200mA
I
C
= 2A ,我
B
=100mA
V
CE
=
10
V,I
C
=
50
mA
V
CB
=
10
V,I
E
=0, f=
1
兆赫
V
CE ( SAT )
V
V
BE ( SAT )
V
兆赫
pF
f
T
C
ob
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