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型号: 2SD2136
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内容描述: 晶体管( NPN ) [TRANSISTOR (NPN)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 126 K
品牌: WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
   
RoHS指令
2SD2136
2SD2136
特点
功耗
P
CM
:
晶体管( NPN )
TO-126
1.25
W(环境温度Tamb = 25℃)
1.发射器
2.收集
3. BASE
集电极电流
I
CM
:
3
A
集电极 - 基极电压
V
( BR ) CBO
:
60
V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
: -55 ℃〜+ 150 ℃
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
W
开关时间
J
E
E
C
E
L
t
f
I
EBO
R
T
O
TEST
条件
IC 。
1
妈,我
E
=0
N
C
I
C
123
O
典型值
L
,
.
最大
D
T
单位
V
V
V
60
60
6
200
1
40
10
1.2
1.8
30
0.5
IC 。
30
妈,我
B
=0
I
E
=
1m
A,I
C
=0
V
CB
=
60
V,I
E
=0
V
EB
=
6
V,I
C
=0
V
CE
=
4
V,I
C
=
1
A
V
CE
=
4
V,I
C
=3A
I
C
=
3
A,I
B
=
375
mA
V
CE
=
4
V,I
C
=
3
A
µA
mA
h
FE(1)
250
h
FE(2)
V
CE ( SAT )
V
BE
V
V
兆赫
µs
µs
µs
f
T
t
on
t
英镑
V
CE
=
5
V,I
C
=
0.1
A,F =
200
兆赫
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 1A ,我
B1
= 0.1A ,我
B2
=-0.1A
2.5
0.4
分类h及
FE(1)
范围
P
40-90
Q
70-150
R
120-250
永而佳电子有限公司。
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