2SC945LT1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SC945LT1
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内容描述：	NPN外延硅晶体管 [NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	1 页 / 68 K
品牌：	WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]

RoHS指令

2SC945LT1

NPN外延硅晶体管

集电极电流： IC = 150毫安

集电极 - 发射极电压：的Vce = 50V

高总功耗： PC =为225mW

高HFE和良好的线性

2.4

1.3

在Ta = 25绝对最大额定值

0.95

2.9

1.9

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

集电极耗散TA = 25 *

结温

储存温度

VCBO

VCEO

TSTG

150

225

150

-55-150

0.95

0.4

特征

符号

等级

单位

在Ta = 25电气特性

特征

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极

电压＃

击穿

集电极 - 基极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

输出电容

电流增益带宽积

器件总功耗： FR = 1

0.75

0.062in局，减免25 。

脉冲测试：脉冲宽度

300US ，占空比

器件标识：

2SC945LT1=HF

符号

BVCBO

BVCEO

ICBO

的hFE

VCE （ SAT ）

COB

民

典型值

0.3

3.5

单位

兆赫

IC = 1毫安

Ib=0

1.BASE

2.EMITTER

3.COLLECTOR

单位：mm

最大

测试条件

IC = 100uA的IE = 0

100

700

VCB = 60V， IE = 0

VCE = 6V IC = 1毫安

IC = 100毫安IB = 10毫安

VCB = 10V IE = 0 F = 1MHz的

VCE = 5V， IC = 10毫安

2.2

150

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