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    2SA836 参数 Datasheet PDF下载

    2SA836图片预览
    型号： 2SA836
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ PNP ） [TRANSISTOR (PNP)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 143 K
    品牌： WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
       
    RoHS指令
    2SA836
    2SA836
    特点
    晶体管（ PNP ）
    TO-92
    功耗
    1.发射器
    P
    CM
    : 0.2
    W（环境温度Tamb = 25℃）
    2.收集
    集电极电流
    I
    CM
    : -0.1
    A
    集电极 - 基极电压
    V
    （ BR ） CBO
    : -55
    V
    工作和存储结温范围
    T
    J
    , T
    英镑
    ： -55 ℃〜+ 150 ℃
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    TEST
    3. BASE
    电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极电压
    跃迁频率
    W
    输出电容
    噪声系数
    J
    E
    E
    C
    E
    L
    I
    EBO
    h
    FE
    R
    T
    IC = -10μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -1毫安，我
    B
    =0
    I
    E
    = -10μA ，我
    C
    =0
    O
    条件
    N
    I
    C
    =0
    C
    I
    -5
    C
    O
    1 2 3
    L
    ,
    .
    V
    V
    V
    D
    T
    民
    -55
    -55
    典型值
    最大
    单位
    V
    CB
    = -18V ，我
    E
    =0
    -0.1
    -0.05
    160
    500
    -0.5
    -0.75
    150
    µA
    µA
    V
    EB
    = -2V ,
    V
    CE
    = -12 V，I
    C
    = -2mA
    I
    C
    = -10mA ，我
    B
    = -1mA
    V
    CE
    = -12 V，I
    C
    = -2mA
    V
    CE
    = -12 V，I
    C
    = -2mA
    V
    CESAT
    V
    V
    兆赫
    V
    BE
    （上）
    f
    T
    C
    ob
    V
    CE
    = -10V ，我
    E
    = 0中，f = 1 MHz的
    V
    CE
    = -6V ，我
    C
    = 0.1毫安，
    F = 1 0Hz时，R
    G
    =10KΩ
    V
    CE
    = -6V ，我
    C
    = 0.1毫安，
    F = 1千赫，R
    G
    =10KΩ
    4
    5
    pF
    NF
    dB
    1
    分类
    h
    FE
    秩
    范围
    C
    160-320
    D
    250-500
    永而佳电子有限公司。
    HTTP ： // www.wej.cn
    电子信箱： wej@yongerjia.com

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