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2N7002 参数 Datasheet PDF下载

2N7002图片预览
型号: 2N7002
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内容描述: MOSFET( N通道) [MOSFET (N-Channel)]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 486 K
品牌: WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
 浏览型号2N7002的Datasheet PDF文件第2页  
2N7002
MOSFET( N通道)
特点
高密度电池设计低R
DS ( ON)
电压控制的小信号开关
坚固可靠
高饱和电流能力
标记: 7002
最大额定值(T
A
=25
除非另有说明)
符号
V
DS
I
D
P
D
R
θJA
T
J
T
英镑
参数
漏源电压
漏电流
功耗
结温
储存温度
价值
60
115
225
热阻,结到环境
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
CT
R
ON
I
mA
mW
556
℃/W
150
-55-150
符号
V
( BR ) DSS
V
日( GS )
l
GSS
TEST
条件
V
GS
= 0 V,I
D
=10
μA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250
μA
V
DS
=0 V, V
GS
=±25 V
V
DS
=60 V, V
GS
=0 V
V
GS
=10 V, V
DS
=7 V
I
DSS
I
D(上)
r
DS(0n)
g
fs
V
DS ( ON)
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
D(关闭)
V
DS
=25V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
V
GS
= 10 V,I
D
=500mA
V
GS
= 5 V,I
D
=50mA
V
DS
= 10 V,I
D
=200mA
V
GS
= 10V ,我
D
=500mA
V
GS
= 5V ,我
D
=50mA
I
S
= 115毫安,V
GS
=0 V
V
DD
= 25 V ,R
L
=50Ω
I
D
=500mA,V
=10 V
R
G
=25
Ω
C
单位
V
60
1
2.5
±80
80
500
1
1
80
0.5
0.05
0.55
7.5
7.5
500
3.75
0.375
1.2
50
25
5
pF
典型值
最大
单位
V
nA
nA
mA
ms
V
V
V
20
40
ns
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
漏源电压
二极管的正向电压
输入电容
W
EJ
输出电容
反向传输电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
永而佳电子有限公司。
EL
E
HTTP : // www.wej.cn
CO
.,L
T
SOT-23
1.门
2.源
3.排水
电子信箱: wej@yongerjia.com
D.
2N7002
RoHS指令