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29F400B-12TI 参数 Datasheet PDF下载

29F400B-12TI图片预览
型号: 29F400B-12TI
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内容描述: [Flash, 512KX8, 120ns, PDSO48, TSOP-48]
分类和应用: 光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 38 页 / 227 K
品牌: WINBOND [ WINBOND ]
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BRIGHT  
Microelectronics  
Inc.  
Preliminary BM29F400T/BM29F400B  
AC CHARACTERISTICS  
Read-Only Operations  
DESCRIPTION  
-90  
-120 -150 UNIT  
PARAMETER SYM.  
TEST SETUP  
JEDEC  
Standard  
(2)  
Read Cycle Time  
Min.  
90  
90  
120  
120  
150  
150  
nS  
nS  
t
t
t
t
AVAV  
AVQV  
RC  
Address to Output Delay  
Max.  
ACC  
CE = VIL  
= VIL  
OE  
Chip Enable to Output Delay  
Max.  
Max.  
90  
35  
120  
50  
150  
55  
nS  
nS  
t
t
t
t
ELQV  
GLQV  
CE  
OE  
= VIL  
OE  
Output Enable to Output  
Delay  
Chip Enable to Output High  
Z(3,4)  
Max.  
20  
20  
0
30  
30  
0
35  
35  
0
nS  
nS  
nS  
t
t
t
t
t
t
EHQZ  
GHQZ  
AXQX  
HZ  
DF  
OH  
Output Enable to Output High  
Z(2,3)  
Output Hold Time from  
Min.  
Addresses,  
or  
,
OE  
CE  
Whichever Occurs First  
t
Max.  
Max.  
20  
5
20  
5
20  
5
mS  
nS  
READY  
Pin Low to Read  
RESET  
(4)  
Mode  
t
t
ELFL  
ELFH  
CE to BYTE Switching  
Low or High  
Notes:  
1. Test Conditions: Output Load: 1 TTL gate and 100 pF  
Input rise and fall times: 20 nS; Input pulse levels: 0.45 V to 2.4 V  
2. Timing measurement reference level  
Input: 0.8 and 2.0 V; Output: 0.8 and 2.0 V  
3. Output driver disable time.  
4. Not 100% tested.  
5.0 V  
2.7 KOhm  
IN3064 or  
Equivalent  
DEVICE  
UNDER  
TEST  
CL  
6.2 KOhm  
Diodes = IN3064  
or Equivalent  
Figure 7. Test Condition  
Note: CL = 100 pF including jig capacitance.  
- 24 -  
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