1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
°
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
小信号MOSFET
硅N沟道
特点
威伦
FM120-M
THRU
SRK7002LT1
FM1200-M
无铅产品
包装外形
SOD-123H
参数
符号最小值。
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
−
I
GSS
栅极 - 源极漏电流
•
高电流能力，低正向电压降。
60
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
•
高浪涌能力。
I
DSS
−
零栅极电压漏极电流
•
Guardring过电压保护。
•
超高速开关。
V
GS （ TH）
1
栅极阈值电压
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
−
•
无铅零件符合环保标准
∗
of
漏源通态电阻R
DS （ ON）
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
−
包装代号后缀
•
符合RoHS的产品
转移导纳
＆ QUOT ; G＆ QUOT ;
前锋
80
升ÿ
fs
l
∗
无卤素产品的包装代号后缀"H"
−
C
国际空间站
输入电容
机械数据
典型值。
−
−
−
1.85
−
−
−
25
马克斯。
±10
−
1
2.5
7.5
7.5
−
50
25
5.0
20
30
单位
µA
V
µA
V
Ω
mS
pF
pF
pF
ns
ns
I
D
=10µA,
测试条件
0.146(3.7)
V
GS
=±20V,
V
DS
=0V
0.130(3.3)
V
GS
=0V
0.012 （ 0.3 ）典型值。
V
DS
=60V,
V
GS
=0V
V
DS
=
V
GS
, I
D
=250uA
I
D
=0.5A,
V
GS
=10V
I
D
=0.05A,
V
GS
=5V
V
DS
=10V,
I
D
=0.2A
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.071(1.8)
0.056(1.4)
10
−
UL94 -V0阻燃评分
•
环氧树脂：
输出电容
阻燃
C
OSS
3.0
C
RSS
−
反向传输电容
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
−
导通延迟时间
t
d
MIL-STD-750
12
•
端子：镀金端子，每焊
（上）
∗
方法2026
打开-O FF延迟时间
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
t
D（关闭）
∗
−
20
I
D
=200mA,
V
DD
30V
V
GS
=10V,
R
L
=150Ω
,R
GS
=10Ω
尺寸以英寸（毫米）
•
极性
∗
表示
税
阴极带
:
P
W
≤300µs,
by
cycle≤1%
•
安装位置：任意
•
重量：的逼近0.011克
曲线
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
伏
伏
伏
安培
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
安培
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
-55到+125
40
120
-55到+150
℃/W
PF
℃
℃
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
伏
毫安
I
R
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-10
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
