8.0A
肖特基二极管-40V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
ITO-220A
包
SOD-123
包
威伦
FM120-M
SP840
THRU
THRU
FM1200-M
SP8200
无铅产品
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
机械DATE
高英法fi效率。
•
低功耗，
•
高电流能力，低正向电压降。
◆案例：
ITO-220A
•
高浪涌能力。
=案例
材料：模压塑料。防火
y
•
Guardring过电压保护。
•
超高速开关。
分类额定值94V- 0
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
‡端子：
无铅电镀（锡完成）
•
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
每MIL -STD- 202方法208
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
·极性：
阴极带
包装代号后缀"H"
无卤素产品
SOD-123H
特点
包装外形
0.146(3.7)
0.130(3.3)
ITO-220A
0.012 （ 0.3 ）典型值。
.114(2.90)
.098(2.50)
.188(4.77)
0.071(1.8)
.406(10.30) .138(3.50) .169(4.30)
0.056(1.4)
.121(3.08)
.382(9.70)
.134(3.40)
.110(2.54)
机械数据
·重量：
1.64克（近似值）
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
特点
方法2026
‧Guardring
：由阴极频带指示
过电压保护
•
极性
Very
小的传导损耗
•
安装位置：任意
ULOW
FORW
:
ARD的电压降
克
•
重量0.011的逼近
■组件
按照RoHS 2002/95 / EC
.610(15.50)
0.040(1.0)
0.024(0.6)
.571(14.50)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
.047MAX
(1.20)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
.171(4.35)
.067(1.70)
.138(3.50)
尺寸以英寸（毫米）
.039(1.00)
.560(14.22)
.114(2.90)
.098(2.50)
.035(1.00)
.021(0.55)
.492(12.50)
.031(0.80)
.015(0.38)
最大额定值和电气特性
‧
无铅
环境温度，除非
在25 ℃评分
包可
另有规定ED 。
.108(2.75)
.091(2.30)
符合RoHS的产品
60Hz的，感性负载的电阻。
单相半波，
包装代号后缀“G”
对于容性负载，减免电流
包装代号后缀
无卤素产品
20%
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
“H”
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
尺寸以英寸（毫米）
16
60
42
60
1.0
SP8100
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
V
RRM
V
RMS
V
DC
15
50
35
50
120
200
140
200
伏
伏
伏
安培
最大额定值
整流电流
（ TA = 25° C除非另有说明）
最大正向平均
I
O
参数
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
符号
最大重复峰值反向电压
最大RMS
电容（注1 ）
电压
典型结
最大
温度范围
操作
阻断电压DC
存储温度范围
最大正向平均整流电流
典型热阻（注2 ）
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
I
FSM
SP840
40
28
SP860
SP8150
SP8200
200
140
200
单位
安培
R
θJA
V
RRM
V
RMS
C
J
V
T
J
DC
F
60
42
60
100
40
150
-55
40
+125
70
120
105
V
℃/W
V
V
A
PF
℃
℃
100
-
65
到+175
8
-55到+150
150
TSTG
I
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
特征
正弦波叠加在额定负荷
最大正向电压在1.0A DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
I
FSM
125.0
A
V
F
0.50
0.70
0.85
0.9
0.92
伏
最大
在平均反向电流
电压
最大
正向
@T A = 25 ℃
IF=8A
DC
25°C
电压
@T A = 125 ℃
评级
@
闭塞
最大DC反向电流@ TC = 25℃
注意事项：
在额定阻断电压DC @ T = 100℃
典型结电容（注1）
I
R
F
V
0.55
0.5
30
420
0.70
0.5
0.85
10
0.92
0.2
10
230
-55到+150
200
V
毫安
mA
pF
° C / W
°C
°C
I
R
C
j
T
J
T
英镑
R
θJC
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
300
-55到+125
260
3
-55到+150
典型热阻
工作温度范围
存储温度范围
注： 1.Measured得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-08
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
