16.0A
肖特基二极管-40V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
ITO-220
包
SOD-123
包
威伦
FM120-M
SP1640C
THRU
THRU
FM1200-M
SP16200C
无铅产品
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板
‧Case ： ITO -220
空间。
•
低功耗，高效率。
=案例
材料：模压塑料，防火
•
高电流能力，低正向电压降。
分类额定值94V- 0
•
高浪涌能力。
•
Guardring过电压保护。
‡端子：
雾锡完成了退火铜
•
超高速开关。
引线框架。每MIL -STD- 202焊接的
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
•
无铅零件符合环保标准
·重量：
1.
克（大约）
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
更好的反向漏电流和耐热性。
机械DATE
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
SOD-123H
特点
包装外形
ITO-220
.114(2.90)
.098(2.50)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
.189(4.80)
.406(10.30) .138(3.50) .169(4.30)
.118(3.00)
.382(9.70)
.134(3.40)
.110(2.54)
0.071(1.8)
0.056(1.4)
0.146(3.7)
0.130(3.3)
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
.642(16.30)
.571(14.50)
0.040(1.0)
0.024(0.6)
机械数据
特点
： UL94 -V0额定阻燃
•
环氧树脂
●保护
环
塑料， SOD- 123H
•
案例：模压
过电压保护
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
高¡
正向浪涌能力
方法2026
高¡
工作频率
•
极性：由阴极频带指示
■组件
按照RoHS 2002/95 / EC
•
安装位置：任意
‧
无铅封装可用
•
重量：的逼近0.011克
0.031(0.8)
.067(1.70)
典型值。
.171(4.35)
.138(3.50)
.039(1.00)
.114(2.90)
.098(2.50)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
.560(14.22)
.031(0.80)
.015(0.38)
.492(12.50)
.022(0.55)
尺寸以英寸（毫米）
MAX.(1.80)
.108(2.75)
.091(2.30)
.035(1.00)
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大RMS电压
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
最大额定值和电气特性
尺寸以英寸（毫米）
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
最大额定值（Ta = 25° C除非另有说明）
12
20
14
13
30
21
14
40
28
15
50
35
16
60
42
1.0
18
80
56
10
100
70
115
150
105
120
200
140
伏
伏
V
RMS
I
O
参数
阻断电压
最大直流
最大重复峰值反向电压
峰值正向浪涌电流
最大RMS电压
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC
最大直流阻断电压
法）
符号
20
SP1640C
30
V
DC
V
RMS
I
FSM
R
θJA
SP1660C
40
50
60
42
60
SP16100C
80
SP16150C
60
100
100
100
150
105
150
伏
SP16200C单位
150
200
最大正向平均整流电流
V
RRM
V
DC
40
28
40
200
140
200
70
30
40
V
安培
V
安培
V
℃/W
℃
最大正向平均整流电流（总）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
典型热阻（注2 ）
（每站）
T
J
存储温度范围
TSTG
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
I
FSM
正弦波叠加在额定负荷
最大瞬时IF = 8A @ 25°C
最大正向电压在1.0A DC
正向电压
IF = 8A @ 100℃
特征
C
J
I
F
-55到+125
16
120
8
-
65
到+175
-55到+150
A
PF
A
℃
125.0
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
F
V
F
I
R
最大DC反向电流@ TC = 25℃
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
在额定阻断电压DC @ T = 100℃
典型结电容（注1）
典型热阻
工作温度范围
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
0.55
0.52
0.50
0.70
0.60
0.70
0.85
0.70
0.85
I
R
C
j
450
0.5
30
350
-55到+125
0.5
10
0.92
0.80
0.9
0.92
伏
V
0.2
10
200
-55到+150
150
mA
pF
毫安
250
3
-55到+150
R
θJC
T
J
T
英镑
° C / W
°C
°C
存储温度范围
注： 1.Measured得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-09
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
