3.0A
低VF
肖特基二极管-20V- 40V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SMB- L封装
SOD-123
包
威伦
FM120-M
THRU
SL32-BL
FM1200-M
SL34-BL
SOD-123H
无铅产品
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
特点
电路板空间。
OPTIMIZE
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
•
低功耗，高效率。
更好的反向漏电流和耐热性。
•
高电流能力，低正向电压降。
•
低
高浪涌能力。
为了申请
•
型材表面安装
优化电路板空间。
•
Guardring过电压保护。
•
低
超高速
EF网络效率。
•
功耗，高
切换。
•
高
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
•
电流能力，低正向电压降。
•
高
无铅零件符合环保标准
•
浪涌能力。
•
Guardring过电压保护。
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
超高速开关。
代号后缀"G"
•
符合RoHS的产品包装
•
硅外延平面芯片，金属
代号后缀"H"
无卤素产品包装
硅结。
特点
包装外形
包装外形
0.146(3.7)
0.130(3.3)
SMB -L
.213(5.40)
.197(5.00)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
.016(0.40)Typ.
0.056(1.4)
0.071(1.8)
.142(3.60)
.126(3.20)
•
湿度敏感度等级1
机械数据
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
机械数据
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
极性：由阴极频带指示
•
案例：模压塑料， SMB -L
•
安装位置：任意
•
码头：焊接镀，每焊
•
重量：的逼近0.011克
MIL- STD- 750 ，方法2026
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
方法2026
.012(0.30)Typ.
.075(1.90)
尺寸以英寸（毫米）
.067(1.70)
0.040 （ 1.00 ）典型值。
尺寸以英寸（毫米）
0.040 （ 1.00 ）典型值。
•
极性：由阴极频带指示
和电气特性
最大额定值
尺寸以英寸（毫米）
•
安装位置任意
在25 ℃的环境评级
:
温度，除非另有规定。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
•
重量：的逼近0.09克
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UNI
15
18
115
T
A
=25
o
C
16
除非另有
10
说明）
20
30
40
50
60
80
100
150
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
典型值。马克斯。单位
参数
条件
符号最小值。
14
21
28
35
42
56
70
105
最大RMS电压
V
RMS
I
O
3.0
A
正向整流电流
见图2
最大直流阻断电压
20
30
40
50
60
80
100
150
V
DC
最大正向平均整流电流
8.3ms单半正弦波叠加
80
I
FSM
1.0
I
O
正向浪涌电流
A
率负荷（ JEDEC梭）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
30
I
FSM
O
V
R
= V
RRM
T
J
= 25 C
I
R
mA
1.0
反向电流
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型
二极管的结电容
热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
12
13
14
最大额定值和电气特性
（在
120
200
140
200
伏特
伏特
伏特
AMP
AMP
储存温度
f=1MHz
R
θJA
应用4V直流反向电压
和
C
J
-55到+125
T
J
TSTG
T
英镑
C
J
40
120
-55
300
pF
O
℃/W
+150
-55到+150
C
PF
℃
-
65
到+175
℃
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UNI
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
0.85
0.9
0.92
伏特
I
R
注意事项：
符号
SL32-BL
*1
V
RRM
(V)
20
V
RMS
*2
(V)
14
*3
V
R
(V)
20
*4
V
F
(V)
0.38
0.40
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
操作
温度
T
J
, (
O
C)
-55到+100
10
* 1重复峰值反向电压
MAM
* 2 RMS电压
* 3连续反向电压
* 4最大正向电压@ I
F
=3.0A
2-热阻结点到环境
SL34-BL
40
28
40
2012-06
威伦电子股份有限公司。
201 -
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
