FM120-M
SESDLL5V0WB
THRU
瞬态电压抑制器ESD保护
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
•
HIGH CURRENT
特征
（ TA = 25° C除非另有说明）
电动
能力，低正向电压降。
•
高浪涌能力。
•
Guardring过电压保护。
•
超高速开关。
参数
符号
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
I
PP
部分符合环保标准
•
LEAD -FREE
最大反向峰值脉冲电流
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
V
C
钳位电压@ I
PP
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
V
RWM
工作
包装代号后缀"H"
无卤产品
峰值反向电压
SOD-123H
威伦
包
无铅产品
特点
包装外形
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
I
R
最大反向漏电流@ V
RWM
•
环氧树脂： UL94 -V0评分
电压@我
T
V
BR
击穿
阻燃
•
I
T
案例：模压塑料， SOD- 123H
测试电流
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
•
极性：由阴极频带指示
•
安装位置：任意
•
重量：的逼近0.011克
尺寸以英寸（毫米）
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
V
RWM
I
R（ μA ）
V
BR
（五） @I
T
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
设备
(V)
(Note2)
设备*
@V
RWM
对于容性负载，减免电流20 ％
最大额定值
（ TA = 25℃除非另有说明）
电气特性
和电气特性
I
T
V
C
@I
PP
=5A
15
12.5
16
50
60
42
60
1.0
30
50
C（ pF）的@
V
R
=0V,f=1MHz
12
18
10
15
115
150
105
150
120
200
140
200
记号
H
评级
标识代码
SESDLL5V0WB
最大的经常峰值反向电压
最大
5.0
最大
民
最大
mA
V
典型值
最大
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
0.1
12
5.8
13
8.0
20
30
20
30
14
1.0
40
40
80
56
80
100
70
100
V
RRM
*可根据要求提供其它电压。
14
21
28
35
最大RMS电压
V
at
2. V
BR
测量用脉冲测试电流I
T
RMS
的25 ℃的环境温度下。
最大直流阻断电压
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
-55到+125
40
120
-55到+150
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
I
R
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-09
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
