FM120-M
SESD5ZxxV
THRU
瞬态电压抑制器
势垒整流器-20V- 200V
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基
对于ESD保护
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
威伦
包
无铅全国生产
特点
包装外形
SOD-123H
概述
优化电路板空间。
•
低调的表面安装，以便应用程序
特点
0.146(3.7)
小机身外形尺寸
0.130(3.3)
•
低功耗
一系列旨在保护电压
该SESD5Z
损失，效率很高。
•
高电流能力，低正向电压降。
从ESD和瞬态电压敏感元件
•
高浪涌能力。
事件。出色的钳位能力，低泄漏，并
•
Guardring过电压保护。
•
超高速开关。
快速响应时间，使这些器件非常适合ESD
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
保护对设计中板
标准
是在一个
•
无铅零件符合环保
空间
of
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
溢价。
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
低矮的车身高度
对峙电压： 3 V
−
12.0 V
0.012 （ 0.3 ）典型值。
µs
峰值功率高达200瓦@ 8 ×20
0.056(1.4)
脉冲
低漏
响应时间通常< 1纳秒
0.071(1.8)
无卤素产品的包装代号后缀"H"
机械数据
应用
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
工作原理图
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
CELLULAR
模压塑料， SOD- 123H
•
案例：
手机
,
•
端子：镀
便携式设备
终端，每MIL -STD- 750
符合下列标准
法
数码相机
2026
IEC61000-4-2
尺寸以英寸（毫米）
•
极性：由阴极频带指示
电源
4级15千伏（空气放电）
•
安装位置：任意
8千伏（接触放电）
•
重量：的逼近0.011克
MIL STD 883E - 方法3015-7 3级
最大额定值和电气特性
25千伏HBM （人体模型）
无铅封装可用
0.040(1.0)
0.024(0.6)
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
SOD-523
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
=25°C
(T
工作温度范围
绝对额定值
P
PP
T
L
AMB
)
C
J
-55到+125
40
120
价值
200
0.85
-55到+150
符号
存储温度范围
峰值脉冲功率（T
p
= 8/20μs)
V
F
I
R
参数
TSTG
T
J
-
65
到+175
单位
W
°C
0.9
0.92
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
T
op
操作
注意事项：
T
j
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
在10秒的最大无铅焊接温度的
260
°C
T
英镑
存储温度范围
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
0.50
0.70
0.5
10
-55〜 155
-40到+125
150
±15
±8
40
25
400
@T A = 125 ℃
温度范围
°C
°C
kV
A
kV
V
最高结温
IEC61000-4-2 （ ESD ）
IEC61000-4-4 （ EFT ）
ESD电压
每个人体模型
每台机器型号
空气放电
接触放电
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-09
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
