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SESD099-04BT1 参数 Datasheet PDF下载

SESD099-04BT1图片预览
型号: SESD099-04BT1
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内容描述: 4通道,低电容ESD保护二极管阵列 [4-CHANNEL LOW CAPACITANCE ESD PROTECTION DIODES ARRAY]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 5 页 / 447 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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威伦
批量工艺设计,
CON组fi guration
出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
FM120-M
SESD099-04BT1
THRU
FM1200-M
无铅产品
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
4通道,低电容ESD保护二极管阵列
包装外形
特点
SOD-123H
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗,高效率。
高电流能力,低正向电压降。
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
超高速开关。
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
SOT-363
机械数据
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
案例:模压塑料, SOD- 123H
,
绝对最大额定值
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.031 ( 0.8 )典型值。
极性:由阴极频带指示
峰值脉冲功率( 8 / 20μS )
安装位置:任意
峰值脉冲电流( 8 / 20μS )
重量:的逼近0.011克
符合IEC 61000-4-2 ESD (空气)
符合IEC 61000-4-2 ESD (联系)
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
特征
符号
P
PP
I
PP
V
ESD1
V
ESD2
T
OPR
T
英镑
12
20
13
30
21
14
40
28
40
尺寸以英寸(毫米)
评级
150
5
±15kV
±8kV
单位
W
A
kV
kV
°C
°C
最大额定值和电气特性
 
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
工作温度范围
对于容性负载,减免电流20 %
-55 ~ +125
-55 ~ +150
15
50
35
50
16
60
42
60
典型值。
1.0
 
30
40
120
18
80
56
80
马克斯。
存储温度范围
评级
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
U
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
电气特性
(T
AMB
=25°C)
14
V
RMS
I
O
V
RRM
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
Vo
Vo
最大正向平均整流电流
 
特征
符号
V
RWM
V
BR
I
R
20
30
V
测试条件
DC
 
任何I / O引脚与GND
I
FSM
t
=1mA;
R
θJA
分钟。
单位
V
Vo
反向工作
A
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
电压
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
5
 
A
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
反向击穿
电压
任何
J
连接到GND
I / O
C
TSTG
任何I / O引脚与GND
 
 
6
 
 
1
V
μA
P
反向漏
工作温度范围
-55
V
RWM
= 5V ,T = 25 ℃;
+125
T
J
 
-55到+150
 
存储温度范围
当前
特征
正夹紧
-
65
到+175
I
PP
= 1A ,T
P
=8/20Μs;
V
C1
正脉冲;
V
F
I
R
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UN
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
 
电压
0.50
8.5
0.70
12.0
0.85
V
0.9
0.92
 
Vo
任何I / O引脚与GND
负脉冲;
I / O引脚与GND
0.35
V
R
= 0V , F = 1MHz的;
I / O引脚之间
V
R
= 0V , F = 1MHz的;
任何I / O引脚与GND
1.8
0.5
10
注意事项:
负钳位
电压
@T A = 125 ℃
I = 1A , T = 8 / 20μS ;
PP
P
mA
V
C2
V
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
任何
 
 
2-热阻结点到环境
结电容
通道之间
C
J1
C
J2
0.45
0.9
pF
pF
结电容
之间的I / O和GND
2012-06
2012-09
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。